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CMOS反相器電路組成圖文分析
2022-04-25
CMOS反相器電路組成圖文分析CMOS反相器電路圖1 CMOS反相器電路（1）工作原理①輸入低電平 Ui=0 時(shí) VN截止， VP導(dǎo)通 Uo≈VDD②輸
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開關(guān)電源總是炸MOS管的原因詳解
2022-04-25
開關(guān)電源總是炸MOS管的原因詳解曾接觸過一個(gè)同行的朋友A（為方便起見，下文簡稱A），A說他們的開關(guān)電源總是炸MOS管，讓他很苦惱，一直在找
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反相器的電路結(jié)構(gòu)與工作原理介紹
2022-04-23
反相器的電路結(jié)構(gòu)與工作原理介紹（一）TTL反相器電路結(jié)構(gòu)2 電壓傳輸特性3 工作原理設(shè) VCC=5V，VIH=3 4V,VIL=0 2VPN結(jié)的導(dǎo)通壓降VON=0 7VA
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使用運(yùn)算放大器與MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載介紹
2022-04-23
使用運(yùn)算放大器與MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載介紹測試電源和電池需要電流負(fù)載，該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個(gè)運(yùn)算放大器和
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具有遲滯功能的欠壓與過壓閉鎖電路介紹
2022-04-23
具有遲滯功能的欠壓與過壓閉鎖電路介紹如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻），導(dǎo)致電壓隨負(fù)載電流
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MOSFET雪崩擊穿額定值理論解析
2022-04-22
MOSFET雪崩擊穿額定值理論解析雪崩模式定義所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操
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MOSFET數(shù)據(jù)表-開關(guān)參數(shù)介紹
2022-04-22
MOSFET數(shù)據(jù)表-開關(guān)參數(shù)介紹MOSFET數(shù)據(jù)表-開關(guān)參數(shù)圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di dt速率上測得的輸出電荷和反向
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MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻圖文詳解
2022-04-22
MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻圖文詳解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個(gè)R DS （on）的想
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有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法介紹
2022-04-20
有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法介紹討論：是否可以用下面的公式計(jì)算電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗？（IC電路電流+流過電機(jī)的電流）×電源電壓乍一
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步進(jìn)電機(jī),雙極連接與單極連接圖文解析
2022-04-20
步進(jìn)電機(jī),雙極連接與單極連接圖文解析步進(jìn)電機(jī)雙極連接、單極連接步進(jìn)電機(jī)有雙極連接型和單極連接型兩種類型，每種都有其優(yōu)缺點(diǎn)，因此需要
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什么是柵極,源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹
2022-04-20
什么是柵極,源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹右側(cè)的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡單的同步升壓（Boost）電路。在該電路中，高邊（以下
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有刷直流電機(jī)的結(jié)構(gòu)與短路制動(dòng)詳細(xì)解析
2022-04-19
有刷直流電機(jī)的結(jié)構(gòu)與短路制動(dòng)詳細(xì)解析有刷直流電機(jī)結(jié)構(gòu)下面是經(jīng)常在模型中使用的有刷直流電機(jī)的外觀，以及普通的兩極（2個(gè)磁體）三槽（3個(gè)