您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
雙穩(wěn)態(tài)一鍵開關(guān)機電路知識介紹
2022-04-09
雙穩(wěn)態(tài)一鍵開關(guān)機電路知識介紹雙穩(wěn)態(tài)電路設(shè)計原理：Q1,Q2組成雙穩(wěn)態(tài)電路。 由于C1的作用，上電的時候Q1先導(dǎo)通 ，Q2截止，如果沒按下按鍵
-
怎么判斷MOS管是否被擊穿,與解決方法介紹
2022-04-09
怎么判斷MOS管是否被擊穿,與解決方法介紹可以使用數(shù)字萬用表進行判斷，通過測量MOS管漏極和源極的電阻可以簡單的判斷出內(nèi)部是否擊穿短路，
-
N溝道MOS管做電平轉(zhuǎn)換詳解
2022-04-08
N溝道MOS管做電平轉(zhuǎn)換詳解如圖所示，是 NMOS 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理：為了方便講述，定義 3 3V 為 A 端，5 0V
-
PMOS-電池充電器的反向電壓保護介紹
2022-04-08
PMOS-電池充電器的反向電壓保護介紹P 溝道 MOSFET 設(shè)計圖7示出了第二種方法，即采用一個 PMOS 晶體管作為保護器件。在此電路中，MP1
-
MOSFET-電池充電器的反向電壓保護介紹
2022-04-08
MOSFET-電池充電器的反向電壓保護介紹處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管，但是由于二
-
實用的過欠壓防反接多功能保護電路介紹
2022-04-07
實用的過欠壓防反接多功能保護電路介紹在電網(wǎng)中，由于大功率負載關(guān)閉等動作，會導(dǎo)致供電電網(wǎng)電壓產(chǎn)生很高的過壓浪涌，這可能造成設(shè)備因為輸
-
幾種負電壓電源設(shè)計方案詳解
2022-04-07
幾種負電壓電源設(shè)計方案詳解在設(shè)計電路時，我們可能會遇到需要負電壓供電的系統(tǒng)，例如使用負電壓為IGBT提供關(guān)斷負電壓、運放系統(tǒng)中用正負對
-
怎么提高隔離式電源的效率
2022-04-07
怎么提高隔離式電源的效率在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生
-
正確對比了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2022-04-06
正確對比了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC
-
SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路與導(dǎo)通/關(guān)斷動作詳解
2022-04-06
SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路與導(dǎo)通 關(guān)斷動作詳解SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的
-
SiC MOSFET低邊開關(guān)導(dǎo)通時Gate-Source間電壓的動作介紹
2022-04-06
SiC MOSFET低邊開關(guān)導(dǎo)通時Gate-Source間電壓的動作介紹當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方
-
MOSFET-自動平衡超級電容器泄漏的最佳選擇介紹
2022-04-05
MOSFET-自動平衡超級電容器泄漏的最佳選擇介紹MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時間和環(huán)境變化而