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圖騰柱電路工作原理與注意事項(xiàng)解析
2022-04-14
圖騰柱電路工作原理與注意事項(xiàng)解析圖騰柱就是上下各一個晶體管，上管為NPN，c極接正電源，下管為PNP，e極接負(fù)電源，注意，是負(fù)電源，是地。
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交流電和電池雙電源供電切換電路詳解
2022-04-14
交流電和電池雙電源供電切換電路詳解電池和交流電源之間的平穩(wěn)電源的切換過程要求盡量避免用戶干預(yù)、保證能量損失最少，盡可能不在電池供電
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NMOS,PMOS管串聯(lián)穩(wěn)壓電路與區(qū)別
2022-04-13
NMOS,PMOS管串聯(lián)穩(wěn)壓電路與區(qū)別NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示：兩種電路的設(shè)計(jì)參數(shù)基本一致，區(qū)別僅在于：PMOS、NMOS管的不同；LT101
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MOS管防護(hù)電路圖文解析
2022-04-13
MOS管防護(hù)電路圖文解析MOS管防護(hù)電路功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在
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MOS管,二極管反接保護(hù)電路詳解
2022-04-13
MOS管,二極管反接保護(hù)電路詳解反接保護(hù)電路：通常我們的電子產(chǎn)品，為防止用戶將正負(fù)極接反，會對接口做防反接保護(hù)。比如接口做成梯形或者開
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NMOS+PMOS控制電路圖解
2022-04-12
NMOS+PMOS控制電路圖解NMOS+PMOS控制電路下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個MOS管組合控制電路，由一個增強(qiáng)型NMOS管和一個增強(qiáng)型P
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解析什么是IGBT中的閂鎖效應(yīng)
2022-04-12
解析什么是IGBT中的閂鎖效應(yīng)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效
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有效防止電路中閂鎖問題的方法介紹
2022-04-12
有效防止電路中閂鎖問題的方法介紹閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低阻抗路徑可能會由于過
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MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化的驅(qū)動電路詳解
2022-04-11
MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化的驅(qū)動電路詳解通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒
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EMC加差模電感抑制開關(guān)電源的噪聲進(jìn)入電網(wǎng)解析
2022-04-11
EMC加差模電感抑制開關(guān)電源的噪聲進(jìn)入電網(wǎng)解析開關(guān)電源的EMC部分經(jīng)常會看到有加差模電感，這個電感的作用就是用來抑制開關(guān)電源的噪聲進(jìn)入電
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BLDC電機(jī)控制算法解析
2022-04-11
BLDC電機(jī)控制算法解析BLDC電機(jī)控制算法無刷電機(jī)屬于自換流型（自我方向轉(zhuǎn)換），因此控制起來更加復(fù)雜。BLDC電機(jī)控制要求了解電機(jī)進(jìn)行整流轉(zhuǎn)
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開關(guān)電源的控制技術(shù):PWM與PFM介紹
2022-04-09
開關(guān)電源的控制技術(shù):PWM與PFM介紹開關(guān)電源的控制技術(shù)主要有三種：(1)脈沖寬度調(diào)制(PWM)；(2)脈沖頻率調(diào)制(PFM)；(3)脈沖寬度頻率調(diào)制(PWM-P