不同型號的MOS管由于結(jié)構(gòu),制程,工藝的不同,其開啟電壓也是不同的,如下圖所示,有些開啟電壓1.5V即可,有些則要4.5V,那么我們在驅(qū)動對應的MOS時,驅(qū)動電壓越高越好?還是說只要大于開啟電壓就行呢?接下來我們就這些問題講解一下。
不同型號MOS管開啟電壓
MOS管驅(qū)動電壓越高越好嗎?
MOS管驅(qū)動電壓是不是越高越好這個問題要分兩方面來闡述,首先驅(qū)動電壓低,意味著我們在開關MOS時產(chǎn)生的開關損耗比較小,特別是在一些高頻應用中。但是另一方面,在一些使用MOS進行大電流開關應用的場合中,由于電流比較大,此時MOS由于Rds導通內(nèi)阻的存在,會導致MOS發(fā)熱比較嚴重,為了減小MOS管的發(fā)熱,我們一般通過提高Gate驅(qū)動電壓來降低MOS管的Rds導通內(nèi)阻,從而降低發(fā)熱。我們都知道MOS管由于GS,GD寄生電容的存在導致MOS管存在一個平臺電壓,所以驅(qū)動電壓至少應大于平臺電壓,使得MOS管工作在飽和區(qū)。
MOS管導通內(nèi)阻和Vgs關系曲線
一般來說驅(qū)動IC內(nèi)部一般會集成自舉電路輸出一個較高的驅(qū)動電壓,所以更高的驅(qū)動電壓,更強的驅(qū)動能力往往意味著成本的上升,所以綜合MOS管溫升,成本,開關損耗等因素來決定你得驅(qū)動電壓才是合理的。
另外一方面我們在進行MOS的驅(qū)動IC選型時,也要注意驅(qū)動IC的Gate關閉電壓,因為有些IC的Gate關閉電壓并不為0,比如下面例子中在worse case情況下甚至達到了1.5V,雖然這種情況比較少見,但是一旦大規(guī)模量產(chǎn),總會出現(xiàn)的,這樣當我們的MOS開啟電壓超過1V時,采用這個驅(qū)動IC可能存在MOS無法正常關斷的情況,這是很危險的。因為一旦你得MOS無法正常關斷,在輸出負載短路時,MOS可能會由于溫升過大直接燒毀了。
總結(jié)
所以總結(jié)來說,我們在關注MOS管驅(qū)動電路驅(qū)動電壓時既要關注MOS管的開啟電壓,也要關注驅(qū)動IC的Gate關閉電壓,同時還要考慮大電流應用場合中的Rds導通內(nèi)阻導致的MOS管發(fā)熱問題,當然成本考慮也是必不可少的。
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