MOS 管計算導(dǎo)通損耗時,應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢?
先定義下相關(guān)參數(shù),以便于后續(xù)的計算.
IO -------------輸出電流
IH-AVG-----------上MOS 管平均電流
IL-AVG ---------下MOS 管平均電流
IRMS(H) --------上MOS 管電流有效值
IRMS(L) -----------下MOS 管電流有效值
D ------------------上MOS 管占空比
ΔI --------------電感紋波電流
RON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通電阻
RON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通電阻
PON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通損耗
PON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通損耗
計算方法1: 基于平均電流
計算方法2: 基于電流有效值
下面是關(guān)于有效值和平均值的對比數(shù)據(jù),可以直觀的看出有效值比平均值大出很多.
所以兩種方法計算出來的導(dǎo)通損耗也會差別很大,那么哪種方式是正確的呢?
MOS 管導(dǎo)通時,等效為一個電阻RDS(ON), 計算損耗時是通過積分來計算的,應(yīng)該用有效值來計算。
由此可見,I 為有效值的計算公式, 所以計算時應(yīng)用電流有效值來計算MOS管的導(dǎo)通損耗.
那么什么時候可以用平均電流來計算損耗呢?
其實輸出整流二極管,MOS體二極管的導(dǎo)通損耗,則是用均值來計算的.
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