一.MOS管并聯(lián)的問題以及解決方案
對于NMOS而言,我們在G極施加正電壓,會吸引負電荷從而形成導(dǎo)通溝道,從MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出由于G和S以及D之間存在絕緣層,從而會產(chǎn)生寄生電容的問題。
當(dāng)我們在開關(guān)電機這種感性負載時,當(dāng)感性負載兩端的壓降降低后,GD之間寄生電容的存在會導(dǎo)致流經(jīng)柵極電阻的電流增大,并且在dv/dt較大時,干擾會通過GD在柵極形成較大的干擾電壓,可能會使得MOS管誤導(dǎo)通。而GS之間的寄生電容的存在則會導(dǎo)致驅(qū)動波形變得畸形,MOS管的開關(guān)產(chǎn)生延時。
通過下圖能明顯看出從驅(qū)動器出來的方波驅(qū)動波形倒是MOS管柵極后就變了樣,所以問題就來了,一個MOS的柵極電容可能不算什么,但是當(dāng)你把幾個MOS并聯(lián)起來后你會發(fā)現(xiàn)這個時候的柵極電容已經(jīng)足夠大了,你完全不能忽略他了,所以你一定要測一下柵極的驅(qū)動波形,看看是不是已經(jīng)畸變的不成樣子了。或者你也可以在設(shè)計之前先評估一下由于寄生電容導(dǎo)致的波形上升時間,我們可以在規(guī)格書中找到MOS的柵極寄生電容C,如果你的4個MOS并聯(lián)在一起,那總電容約等于4*C,如果柵極串聯(lián)的電阻是100R,那么時間常數(shù)就是4*C*100,一般3-5RC可以完成電容的充電,所以驅(qū)動波形上升時間大概是3*4*C*100。
知道了問題所在,接下來就談?wù)勗趺唇鉀Q問題,寄生電容是MOS的固有特性,只要不換MOS型號,那么我們是沒法減小MOS的寄生電容容值的,所以我們只能從減小柵極電阻R出發(fā),把所有柵極連在一起,只用一個柵極電阻,給電阻并聯(lián)一個二極管,這樣MOS關(guān)斷時由于二極管導(dǎo)通,電阻相當(dāng)于被二極管短路,可以加速MOS關(guān)斷?;蛘哌x用驅(qū)動能力比較強的驅(qū)動IC也能改善此問題。
二.總結(jié)
MOS管并聯(lián)的應(yīng)用,大家一定要注意驅(qū)動波形畸變的問題,特別是在PWM模式下工作時,驅(qū)動頻率高的話可能會出問題,這些都是需要我們在前期設(shè)計就要考慮。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
QQ:709211280