低端驅(qū)動(dòng):MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端,其中D通過(guò)負(fù)載接電源,S直接接地。對(duì)于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí),MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時(shí),S處于一個(gè)不能確定的電位。若讓Vgs大于開(kāi)啟電壓,則DS導(dǎo)通,S確定為地電位,此時(shí)仍可以保證Vgs大于開(kāi)啟電壓,保持DS導(dǎo)通。
而對(duì)于PMOS,只有到Vgs小于一個(gè)值,MOS才能導(dǎo)通。此時(shí)S處于一個(gè)不確定的電位。若讓Vgs小于開(kāi)啟電壓,即使導(dǎo)通了,S確定下降到地電位,就不能保證Vgs小于開(kāi)啟電壓。
高端驅(qū)動(dòng):MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的高端,其中D直接連接電源,S通過(guò)負(fù)載接地。對(duì)于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí),MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時(shí),S處于一個(gè)不能確定的電位。即使讓Vgs大于開(kāi)啟電壓,DS導(dǎo)通后,DS電位相等,同為電源電位,除非G極電位比電源電位還高,則不能保持導(dǎo)通狀態(tài)。
而對(duì)于PMOS,只有到Vgs小于一個(gè)值,MOS才能導(dǎo)通。此時(shí)S處于一個(gè)不確定的電位。若讓Vgs小于開(kāi)啟電壓,使DS導(dǎo)通,DS同為電源電位,還是能保持Vgs小于開(kāi)啟電壓,是MOS保持導(dǎo)通狀態(tài)。
由上可知,PMOS適合作為高端驅(qū)動(dòng),NMOS適合作為低端驅(qū)動(dòng)。但是由于工藝等各方面的原因。在大電流情況下,通常仍把NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)。于是,為了保證高端驅(qū)動(dòng)的NMOS的Vgs保持大于開(kāi)啟電壓。我們會(huì)使用半橋驅(qū)動(dòng)芯片。半橋驅(qū)動(dòng)芯片把高端驅(qū)動(dòng)的NMOS的S極作為參考地,輸出一個(gè)恒定的開(kāi)啟電壓,來(lái)控制MOS的導(dǎo)通。
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