傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
基于NMOS的雙向電平轉換電路實例介紹NMOS雙向電平轉換電路雙向電平轉換電路,如下圖所示,是 NMOS管雙向電平轉換電路,R2和R3可根據實際情
電壓,電流采樣電路,放大倍數計算介紹FOC運算需要用到電機的線電流值和母線電壓值,所以ADC采樣功能必不可少。但是單片機的IO口輸入電壓范圍
運放電流檢測電路,高端檢測,低端檢測電路介紹運放電流檢測,檢測方式有高端檢測和低端檢測兩種運放電路。高端運放電流檢測優(yōu)點:可以檢測區(qū)
電池包電壓檢測電路圖介紹設計一個電池包電壓檢測電路,并不是直接電阻分壓后傳入單片機的 AD 檢測口就好了,還需要考慮一個問題:檢測電
輸出電壓的欠壓保護電路設計介紹一般DC-DC電源芯片內部都有一個under voltage lock out(UVLO)功能,其作用是當芯片的供電電壓低于UVLO
電壓檢測電路,24V低壓檢測電路介紹24V低壓檢測電路當電壓采樣速率低和要求低時,左邊電路圖即可滿足;當采樣速率和精度要求比較高時,采用
電路設計,低電壓控制高電壓解析行業(yè)規(guī)定安全電壓為不高于36V,持續(xù)接觸安全電壓為24V,安全電流為10mA,所以在各種電子產品中都有隔離控制
過驅動電壓Veff Vod的詳解過驅動電壓Veff Vod定義Veff=VGS-VTH,表示過驅動電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值,會隨VGS電壓
過驅動電壓對電路失配有什么影響運放失配設計圖1 電阻負載運放根據拉扎維《模擬CMOS集成電路設計》中14 2 1節(jié)的推導,電阻負載的運放的直
PMOS,NMOS的電流方向與工作區(qū)解析首先討論電流的參考方向,從結論直觀來看電流的參考方向定義為箭頭的方向(即對于兩種管子,電流的正方向都
開關電源的損耗改善方法圖文介紹開關損耗的改善輸入部分損耗1、脈沖電流造成的共模電感T的內阻損耗加大適當設計共模電感,包括線徑和匝數2
MOS管參數,MOS管散熱,功率,電流參數介紹MOS管有如下參數:Operating Junction :Tmin-Tmax。Continuous Drain Current(Rjc):I(T=Tc