開關(guān)損耗的改善
輸入部分損耗
1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感,包括線徑和匝數(shù)
2、放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3、熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
啟動(dòng)損耗
普通的啟動(dòng)方法,開關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷,此損耗持續(xù)存在。
改善方法:恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng),啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗
鉗位電路損耗
有放電電阻存在,mos開關(guān)管每次開關(guān)都會產(chǎn)生放電損耗。
改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)
當(dāng)然最根本的改善辦法是,降低變壓器漏感。
開關(guān)管MOSFET上的損耗
mos損耗包括:導(dǎo)通損耗,開關(guān)損耗,驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。
改善辦法:降低開關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩)
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