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模電分享,電壓源與電流源的轉(zhuǎn)換介紹
2023-02-01
模電分享,電壓源與電流源的轉(zhuǎn)換介紹電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個理想的電流源IS和一個電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)換為一個理想電壓源US和
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電流,電壓,電阻,功率關(guān)系解析
2023-02-01
電流,電壓,電阻,功率關(guān)系解析電流、電壓、電阻、功率是電子電路中的重要技術(shù)參數(shù)，相關(guān)參量都可以根據(jù)其基本原理計算得出。本文主要對電流
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電路設(shè)計,MOS管參數(shù)計算介紹
2023-01-31
電路設(shè)計,MOS管參數(shù)計算介紹MOS管參數(shù)計算設(shè)計電路尺寸時，需要用到薩支唐公式，那么如何得到公式中的Vth和unCox呢？方法1：看工藝的model
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Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解
2023-01-31
Cadence仿真,MOS管參數(shù)名稱詳解Cadence仿真中，MOS管的參數(shù)很多，有些參數(shù)可以直接添加到計算器中，進(jìn)行數(shù)據(jù)的計算。type：MOS管類型，可能
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Cadence仿真,NMOS管的漏端輸出電阻介紹
2023-01-31
Cadence仿真,NMOS管的漏端輸出電阻介紹NMOS管的漏端輸出電阻nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個直流電壓，測量Id ，然后作兩者
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輸入阻抗和輸出阻抗,計算詳解
2023-01-30
輸入阻抗和輸出阻抗,計算詳解計算方法輸入阻抗：通過在輸入端加上一個電壓源U，測試輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin=U I。輸入阻抗越大越好，
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MOSFET驅(qū)動參數(shù),最小門極電阻計算介紹
2023-01-30
MOSFET驅(qū)動參數(shù),最小門極電阻計算介紹在《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動參數(shù)的計算方法》該應(yīng)用指南中由 Eq 6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩
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MOS管柵極和源極之間為什么要加一個電阻
2023-01-30
MOS管柵極和源極之間為什么要加一個電阻MOS管柵極與源極加電阻作用1、為MOSFET提供一個供電，經(jīng)過電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供
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柵極電阻,柵源電阻作用介紹
2023-01-29
柵極電阻,柵源電阻作用介紹柵極電阻H橋的mos管柵極電阻1 減緩Rds從無窮大到Rds(on)(一般0 1歐姆或者更低)。2 若不加R39電阻，高壓情況下便
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MOS管參數(shù)計算,vth,UnCox計算詳解
2023-01-29
MOS管參數(shù)計算,vth,UnCox計算詳解一個MOS電路計算的話，有兩個參數(shù)是比較重要的。一個是vth，一個是UnCox。不考慮其他效應(yīng)。那有一個工藝庫
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開關(guān)電源元件參數(shù)中英文對照表介紹
2023-01-29
開關(guān)電源元件參數(shù)中英文對照表介紹開關(guān)電源元件-MOS管參數(shù)中英文開關(guān)電源元件-肖特基二極管參數(shù)中英文開關(guān)電源元件-二極管參數(shù)中英文開關(guān)電
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電源芯片工作溫度的計算,參數(shù)含義介紹
2023-01-03
電源芯片工作溫度的計算,參數(shù)含義介紹參數(shù)基本定義TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C）TC：芯片封裝表面溫度（Package c