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MOS管失效的6個(gè)原因-分析與失效應(yīng)對(duì)措施
2019-09-02
MOS管失效的六大原因MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
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mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳情-mos結(jié)構(gòu)與種類導(dǎo)通特性分析
2019-09-02
mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路一、MOS經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電
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晶體管與mos管的區(qū)別是什么-晶體管和mos管區(qū)別分析
2019-09-02
晶體管和mos管區(qū)別什么是MOS管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)
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半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)端電路工作原理與結(jié)構(gòu)分析
2019-09-02
半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)端電路工作原理解析半橋電路結(jié)構(gòu)，半橋結(jié)構(gòu)如圖所示，它是兩個(gè)功率開關(guān)器件（如 MOS 管）以圖騰柱的形式相連接，
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三極管開關(guān)電路應(yīng)用和開關(guān)電路狀態(tài)的影響因素解析
2019-08-31
三極管三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電
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電動(dòng)車控制器75N75型號(hào)參數(shù)與封裝-MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)
2019-08-31
電動(dòng)車控制器參數(shù)型號(hào)資料75NF75產(chǎn)品描述75NF75是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)狀態(tài)特性穩(wěn)定、快速的效應(yīng)晶體管開關(guān)速度，低熱阻，常用于電信和計(jì)算機(jī)
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MOS電路解析-MOS電路圖應(yīng)用和P溝道MOS管開關(guān)電路
2019-08-31
MOS電路簡(jiǎn)介MOS電路為單極型集成電路，又稱為MOS集成電路，它采用金屬－氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effec
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MOS管為什么會(huì)靜電擊穿與MOS管擊穿原因和解決方案
2019-08-31
MOS管靜電擊穿關(guān)于穿通擊穿，有以下一些特征（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，發(fā)生電
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MOS管選型-詳說(shuō)MOS管選型技巧
2019-08-31
MOS管選型技巧選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷?，這在產(chǎn)品未來(lái)的使用過(guò)
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同步整流mos工作原理-同步整流基本電路結(jié)構(gòu)與與肖特基整流
2019-08-30
同步整流同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC DC變換器的效率并且
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h橋mos管驅(qū)動(dòng)電路原理與h橋mos管電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路分析
2019-08-30
h橋mos管驅(qū)動(dòng)電路原理實(shí)踐驅(qū)動(dòng)電路中通常要用硬件電路便當(dāng)?shù)乜刂崎_關(guān)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)板主要采用兩種驅(qū)動(dòng)芯片，一種是全橋驅(qū)動(dòng)HIP4082，一種是半
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MOS管柵極-MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻怎么設(shè)計(jì)和柵極檢測(cè)
2019-08-30
MOS管柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極