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  • 電動(dòng)車控制器75N75型號(hào)參數(shù)與封裝-MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-08-31 10:56:25
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    電動(dòng)車控制器參數(shù)型號(hào)資料
    75NF75產(chǎn)品描述
    75NF75是N溝道增強(qiáng)型功率場狀態(tài)特性穩(wěn)定、快速的效應(yīng)晶體管開關(guān)速度,低熱阻,常用于電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用。
    75NF75產(chǎn)品特征
    RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V
    超低柵電荷(典型的90納米)
    快速交換能力
    指定雪崩能量
    改進(jìn)的dv/dt能力,堅(jiān)固性高
    75NF75參數(shù)范圍
    產(chǎn)品型號(hào):75NF75
    工作方式:80A/80V
    漏源電壓:80V
    柵源電壓:±25V
    連續(xù)漏電流:80A/70A
    脈沖漏電流:340A
    雪崩電流:20A
    雪崩能源:410MJ
    最大功耗:240W/100W
    電動(dòng)車控制器,75N75
    75NF75封裝圖
    75NF75產(chǎn)品附件詳情
    電動(dòng)車控制器,75N75
    MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)
    開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。  
    MOS主要損耗包括開關(guān)損耗(開通過程和關(guān)斷過程),導(dǎo)通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個(gè)忽略不計(jì)),還有雪崩能量損耗。電動(dòng)車控制器場效應(yīng)管只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi),MOS即會(huì)正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。
    而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗,尤其是PWM沒完全打開,處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時(shí)(對應(yīng)電動(dòng)車的起步加速狀態(tài)),而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。
    MOS管在電動(dòng)車控制器中的作用
    電動(dòng)車控制器場效應(yīng)管簡單來說電機(jī)是靠MOS的輸出電流來驅(qū)動(dòng)的,輸出電流越大(為了防止過流燒壞MOS管,控制器有限流保護(hù)),電機(jī)扭矩就強(qiáng),加速就有力。
    MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用
    我們電動(dòng)車控制器場效應(yīng)管和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動(dòng)車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。平面型結(jié)構(gòu)是指,mos柵極,源級(jí)和漏級(jí)都在芯片表面(或者說正面),而溝道也在芯片表面橫向排列。(我們常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平面結(jié)構(gòu)介紹)。而功率mos的立體結(jié)構(gòu)(溝道是深槽立體結(jié)構(gòu))是柵極和源級(jí)引線從芯片正面引出(其實(shí)柵極也不在表面而是內(nèi)部,只是比較靠近表面),而漏級(jí)是從芯片背面引出(其實(shí)整個(gè)芯片背面都是漏級(jí)連接在一起的,整個(gè)個(gè)漏級(jí)用焊接材料直接焊接在金屬板上,就是mos的金屬背板,一般是銅鍍錫的),所以我們見到的mos一般金屬板和中間引腳(就是漏級(jí))是完全導(dǎo)通的(有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的)。
    功率mos內(nèi)部從漏級(jí)到源級(jí)是有一個(gè)二極管的,這個(gè)二極管基本上所有的功率mos都具有,和它本身結(jié)構(gòu)有關(guān)系(不需要單獨(dú)制造,設(shè)計(jì)本身就有)。當(dāng)然可以通過改變設(shè)計(jì)制造工藝,不造出這個(gè)二極管。但是這會(huì)影響芯片功率密度,要做到同樣耐壓和內(nèi)阻,需要更大的芯片面積(因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)不同)。大家只是知道這回事就行了。
    我們所見的電動(dòng)車控制器場效應(yīng)管,其實(shí)內(nèi)部由成千上萬個(gè)小mos管并聯(lián)而成(實(shí)際數(shù)量一般是上千萬個(gè),和芯片面積和工藝有關(guān))。如果在工作中,有一個(gè)或幾個(gè)小管短路,則整個(gè)mos表現(xiàn)為短路,當(dāng)然大電流短路mos可能直接燒斷了(有時(shí)表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開裂),又表現(xiàn)為開路。大家可能會(huì)想這上千萬個(gè)小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)壞的吧,其實(shí)真沒那么容易,目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。
    它們的各種開關(guān)動(dòng)作幾乎完全一致,當(dāng)然最終燒壞時(shí),肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分,差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時(shí)一點(diǎn)小的工藝缺陷(比如一個(gè)1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置)往往會(huì)造成整個(gè)芯片(缺陷所在的管芯)報(bào)廢。
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