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深圳市烜芯微科技有限公司
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irf630場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書(shū)-原裝正品場(chǎng)效應(yīng)管-價(jià)格
2019-11-21
irf630場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)irf630場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)述IR的第五代HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管IRF630采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。IRF630這種特性，
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各類(lèi)三端穩(wěn)壓器反向擊穿和防護(hù)解析
2019-11-21
三端穩(wěn)壓器,反向擊穿三端穩(wěn)壓器介紹與分類(lèi)在了解三端穩(wěn)壓器反向擊穿之前，先來(lái)了解三端穩(wěn)壓器。是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電
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lm7805三端穩(wěn)壓中文資料規(guī)格書(shū)-三端穩(wěn)壓器應(yīng)用電路引腳封裝
2019-11-21
lm7805三端穩(wěn)壓lm7805三端穩(wěn)壓。電子產(chǎn)品中，常見(jiàn)的三端穩(wěn)壓集成電路有正電壓輸出的lm78 ×× 系列和負(fù)電壓輸出的lm79×&
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三端穩(wěn)壓管實(shí)現(xiàn)直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)思路-三端穩(wěn)壓管接線(xiàn)
2019-11-21
三端穩(wěn)壓管,直流穩(wěn)壓電源三端穩(wěn)壓管就是提供穩(wěn)定的電壓給后級(jí)電路，比如給單片機(jī)提供穩(wěn)定的3V或者5V電源，這樣單片機(jī)才可以穩(wěn)定的運(yùn)行。三
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8大開(kāi)關(guān)電源變壓器好壞檢測(cè)技巧與原理-作用特性參數(shù)
2019-11-21
開(kāi)關(guān)電源變壓器好壞檢測(cè),開(kāi)關(guān)電源,變壓器開(kāi)關(guān)電源變壓器開(kāi)關(guān)電源變壓器是加入了開(kāi)關(guān)管的電源變壓器，在電路中除了普通變壓器的電壓變換功能
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肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的區(qū)別和開(kāi)關(guān)電源中的二極管
2019-11-21
肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的區(qū)別和開(kāi)關(guān)電源中的二極管肖特基二極管概述肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖
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p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件-p溝道m(xù)os管導(dǎo)通電壓
2019-11-20
p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件p溝道m(xù)os管在知道p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件前，來(lái)了解MOS管基礎(chǔ)知識(shí)。p溝道m(xù)os管是指n型襯管底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流
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MOS管TO封裝-MOS管TO系列封裝引腳尺寸外觀(guān)圖
2019-11-20
MOS管TO封裝文中將會(huì)介紹TO封裝系列的封裝尺寸及外觀(guān)圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片
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MOS管選型基礎(chǔ)和參數(shù)要點(diǎn)
2019-11-20
MOS管的基礎(chǔ)選型MOS管有兩大類(lèi)型：N 溝道和 P 溝道。在功率系統(tǒng)中，MOS管可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在 N 溝道MOS管的柵極和源極間加上正電
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雙向mos管電平轉(zhuǎn)換電路-三極管電平轉(zhuǎn)換與驅(qū)動(dòng)電路解析
2019-11-20
mos管電平轉(zhuǎn)換電路電平介紹在了解mos管電平轉(zhuǎn)換電路之前，我們來(lái)了解一下電平的一些基本知識(shí)。所謂電平，是指兩功率或電壓之比的對(duì)數(shù)，有時(shí)
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大電流同步整流原理-同步整流電路結(jié)構(gòu)和同步整流技術(shù)
2019-11-20
大電流同步整流原理同步整流的基本電路結(jié)構(gòu)大電流同步整流原理，同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流
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常用電子元件識(shí)別大全圖-電子元件應(yīng)用
2019-11-20
電子元件識(shí)別大全圖電子元件識(shí)別大全圖，電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)，作為一位電子元器件的采購(gòu)，不單單是需要靈活的業(yè)務(wù)能力，還更需要掌握電子元