irf630場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)述
IR的第五代HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管IRF630采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通阻抗。IRF630這種特性,加上快速的轉(zhuǎn)換速率,和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì),使得IRF630成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF630得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說(shuō)是功率最高,導(dǎo)通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版,適合較低端的應(yīng)用。
irf630場(chǎng)效應(yīng)管特性
先進(jìn)的工藝技術(shù)
貼片安裝(IRF630NS)
低端通孔安裝(IRF630NL)
動(dòng)態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉(zhuǎn)換速率
輕松并行
僅需簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)
無(wú)鉛環(huán)保
irf630場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)詳情
漏極電流, Id 最大值:9A
電壓, Vds 最大:200V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功率, Pd:100W
封裝類型, 替代:SOT-78B
引腳節(jié)距:2.54mm
時(shí)間, trr 典型值:170ns
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
滿功率溫度:25°C
電容值, Ciss 典型值:540pF
電流, Idm 脈沖:36A
表面安裝器件:通孔安裝
針腳格式:1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
irf630場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)附件
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