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電路圖應(yīng)用分析
2019-11-13
十大經(jīng)典電路圖應(yīng)用分析電路圖十大經(jīng)典電路圖，電路圖主要由元件符號(hào)、連線、結(jié)點(diǎn)、注釋四大部分組成。元件符號(hào)表示實(shí)際電路中的元件，它的
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單片機(jī)電路設(shè)計(jì)的10個(gè)問(wèn)題難點(diǎn)分析與單片機(jī)電路應(yīng)用領(lǐng)域
2019-11-13
單片機(jī)電路設(shè)計(jì)的10個(gè)問(wèn)題難點(diǎn)分析與單片機(jī)電路應(yīng)用領(lǐng)域單片機(jī)概述了解單片機(jī)電路設(shè)計(jì)，先了解單片機(jī)是什么。單片機(jī)，是一種集成電路芯片，
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電源交叉調(diào)整率問(wèn)題和多路輸出電源交叉調(diào)整率無(wú)源設(shè)計(jì)
2019-11-13
電源交叉調(diào)整率問(wèn)題和多路輸出電源交叉調(diào)整率無(wú)源設(shè)計(jì)方法電源與反激式電源電源是將其它形式的能轉(zhuǎn)換成電能的裝置。電源自磁生電原理，由水
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MOS管集成電路使用操作準(zhǔn)則總結(jié)-MOS管集成電路分類和優(yōu)點(diǎn)
2019-11-13
MOS管集成電路使用操作準(zhǔn)則總結(jié)-MOS管集成電路分類和優(yōu)點(diǎn)MOS管集成電路知識(shí)詳解（一）MOS管集成電路簡(jiǎn)介MOS集成電路是以金屬-氧化物-半導(dǎo)體
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怎么用TTL驅(qū)動(dòng)MOS管電路與TTL電平的優(yōu)缺點(diǎn)
2019-11-13
怎么用TTL驅(qū)動(dòng)MOS管電路與TTL電平的優(yōu)缺點(diǎn)什么是MOS管mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金
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mos管三個(gè)工作區(qū)-完全導(dǎo)通區(qū)-截止區(qū)-線性區(qū)詳情
2019-11-13
mos管三個(gè)工作區(qū),完全導(dǎo)通區(qū),截止區(qū),線性區(qū)詳情mos管三個(gè)工作區(qū)在了解MOS管三個(gè)工作區(qū)之前，先了解一下MOS管三個(gè)工作區(qū)分別是什么？下面講
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電路識(shí)別-10種復(fù)雜的電路分析方法
2019-11-13
電路識(shí)別-10種復(fù)雜的電路分析方法電路分析電路的方法，電路：由金屬導(dǎo)線和電氣、電子部件組成的導(dǎo)電回路，稱為電路。在電路輸入端加上電源
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反激電源工作原理-反激電源高壓MOS管尖峰電流來(lái)源
2019-11-12
反激電源工作原理-反激電源高壓MOS管尖峰電流來(lái)源和減小方法反激式開(kāi)關(guān)電源是指使用反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開(kāi)關(guān)電源，與之對(duì)應(yīng)的
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sic-sic是什么-sic制作工藝-主要成分與適用于哪些領(lǐng)域
2019-11-12
sic-sic是什么-sic制作工藝-主要成分與適用于哪些領(lǐng)域sic概述金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅
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電路故障的原因分析-電容故障特點(diǎn)與維修方法
2019-11-12
電路故障的原因分析-電容故障特點(diǎn)與維修方法電路分析電路的方法，電路：由金屬導(dǎo)線和電氣、電子部件組成的導(dǎo)電回路，稱為電路。在電路輸入
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MOSFET工作原理-MOSFET工作特性-MOSFET主要參數(shù)命名和符號(hào)
2019-11-12
MOSFET工作原理-MOSFET工作特性-MOSFET主要參數(shù)命名和符號(hào)MOSFETMOSFET，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxi
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開(kāi)關(guān)電源中光耦隔離的連接方式-幾種典型接法比較
2019-11-12
開(kāi)關(guān)電源中光耦隔離的連接方式,幾種典型接法比較開(kāi)關(guān)電源概述開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開(kāi)