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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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    • 發(fā)布時間:2024-07-13 16:43:32
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    MOS管與三極管的區(qū)別詳細介紹
    MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和三極管(雙極型晶體管)是兩種常見的晶體管類型,它們在工作原理、結(jié)構(gòu)和特性等方面有一些顯著的區(qū)別。
    1. 結(jié)構(gòu):
    - MOS管:三個極為柵極-G、源極-S、漏極-D,MOS管由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成,主要包括柵極、漏極和源極。其特點是具有非常高的輸入電阻和低的靜態(tài)功耗。
    - 三極管:三個極分為基極-b、集電極-c、發(fā)射極-e,三極管由三個區(qū)域(發(fā)射極、基極和集電極)構(gòu)成,主要用于放大和開關(guān)應(yīng)用。其結(jié)構(gòu)相對簡單,但輸入電阻較低。
    2. 工作原理:
    - MOS管:MOS管通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的導(dǎo)通情況,具有高輸入電阻和低噪聲。
    - 三極管:三極管通過基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流,適用于放大和開關(guān)電路。
    MOS管適用于高頻和數(shù)字電路,具有高輸入電阻和低功耗的特點;而三極管適用于模擬電路和功率放大電路,具有較高的電流增益和功率放大能力。
    MOS管
    G極(gate)—柵極,不用說比較好認(rèn)
    S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是
    D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊
    MOS管 三極管 區(qū)別
    MOS管 三極管 區(qū)別
    箭頭指向G極的是N溝道
    箭頭背向G極的是P溝道
    寄生二極管方向判定
    MOS管 三極管 區(qū)別
    不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:
    要么都由S指向D,要么都有D指向S
    MOS管用作開關(guān)時在電路中的連接方法
    MOS管 三極管 區(qū)別
    NMOS:D極接輸入,S極接輸出
    PMOS:S極接輸入,D極接輸出
    MOS管的開關(guān)條件
    N溝道—導(dǎo)通時 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時導(dǎo)通
    P溝道—導(dǎo)通時 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時導(dǎo)通
    總之,導(dǎo)通條件:|Ugs|>|Ugs(th)|
    從MOS管實物識別管腳
    MOS管 三極管 區(qū)別
    無論是NMOS還是PMOS
    按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。
    或者這么記:單獨的一腳為D,逆時針轉(zhuǎn)DGS。
    這里順便提一下三極管的管腳識別:同樣按照上圖方向擺正,中間一腳為C,左邊為B,右邊為E。
    管腳編號
    MOS管 三極管 區(qū)別
    從G腳開始,逆時針123
    三極管的管腳編號同樣從B腳開始,逆時針123
    用萬用表辨別NNOS、PMOS
    借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過來接無數(shù)值,說明是N溝道,若情況相反是P溝道。
    三極管
    什么是三極管:三極管全稱半導(dǎo)體三極管,也稱晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱大的電信號放大成幅度較大的電信號,無需觸點開關(guān),在電路中起開關(guān)和放大電流作用。
    三極管引腳:B(基極)、C(集電極)、E(發(fā)射極)
    按照半導(dǎo)體排列方式區(qū)分:PNP三極管和NPN三極管
    按照材質(zhì)區(qū)分:硅管(PN結(jié)導(dǎo)通電壓0.5-0.7V)、鍺管(PN結(jié)導(dǎo)通電壓0.1-0.3V)
    PN結(jié)偏置:正偏、反偏、零偏
    正偏:P(陽極)電位高,N(陰極)電位低,正向?qū)?/div>
    反偏:P電位低,N點位高,反向截止
    飽和:P和N電位相等
    三種狀態(tài):
    1、放大:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏           基極b 發(fā)射極e 導(dǎo)通
    2、截止:發(fā)射結(jié),集電結(jié)都反偏                基極b 發(fā)射極e 不導(dǎo)通         
    3、飽和:發(fā)射結(jié),集電結(jié)都正偏或者發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)零偏    基極b 發(fā)射極e 導(dǎo)通
    口訣:發(fā)正級反是放大,全正飽和全反截
    箭頭朝內(nèi)PNP,箭頭朝外NPN,箭頭引腳發(fā)射極
    MOS管 三極管 區(qū)別
    MOS管 三極管 區(qū)別
    MOS管和三極管的對比
    MOS管 三極管 區(qū)別
    場效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似,N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳,P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖。
    2).場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由VGS控制ID,普通的晶體三極管是電流控制電流器件,由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少。
    3).場效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的,不產(chǎn)生電流;而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。
    4).場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。
    5).場效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大,而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時,其特性差異很大,b 值將減小很多。
    6).場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。
    7).場效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路,但是場效應(yīng)管制造工藝簡單,并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性,在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管,目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,已經(jīng)廣泛的采用場效應(yīng)管。
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