如下圖所示，R1與C1組成積分電路，R2與C2組成微分電路。
在應用中經(jīng)常會使用RC對單片機進行復位設(shè)計，比如Vo接單片機復位端，單片機有的需要低電平復位，而有的需要高電平復位，復位的時間也有明確的要求，下面分享2個案例。
設(shè)計一
1.要求低電平復位
2.低于1V以下維持10ms+
要求低電平復位，即選擇RC積分電路，因為上電瞬間C1呈短路狀態(tài)，所以Vo為低電平，由于電阻R1的存在，使Vo從0V電平呈指數(shù)規(guī)律慢慢上升，當上升到1V的時間要求大于10ms。
計算過程：
選常用電容參數(shù)4.7uf即可達到要求，在實際應用中還需要考慮一些余量，比如電阻、電容參數(shù)存在誤差，5V電壓也存在誤差，會造成時間改變。
設(shè)計二
1.要求高電平復位
2.高于4V以上維持10ms+
要求高電平復位，即選擇RC微分電路，因為上電瞬間C2呈短路狀態(tài)，所以Vo為5V電平，由于電阻R1的存在，使Vo電平從5V呈指數(shù)規(guī)律慢慢下降，當下降到4V時要求大于10ms。
計算過程并沒有多大差異，只是第一個公式稍稍變化。
模擬仿真，積分電路由R1和C1組成，從Vo1輸出，為方便觀察和對比，將微分電路C2和R2一起接入，由Vo2輸出。
仿真原理圖如下圖2所示，仿真結(jié)果波形如下圖3所示：
仿真圖3中的綠線為積分電路輸出Vo1，紅線為微分電路輸出Vo2。可以看到，綠線（積分輸出Vo1）在1.02V左右時的時間為10.7ms，紅線（微分輸出Vo2）在4.02V左右的時間為10.1ms，說明符合設(shè)計要求。
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