MOS管源極漏極柵極
MOS管是由金屬(Metal)、氧化物(Oxide)和半導(dǎo)體(Semiconductor)三部分組成的。其中,金屬部分被用作柵極(Gate)、氧化物部分被用作絕緣層(Gate Oxide),半導(dǎo)體部分則被用作溝道(Channel)和源漏極(Source/Drain)。
柵極(gate electrode)--gate是門的意思。中文翻譯做柵,柵欄。electrode,電極。
源極(source)--source指資源,電源。中文翻譯為源極。起發(fā)射作用的電極。
漏極(drain)--drain意味排出,泄漏。中文翻譯為漏極。起集電作用的電極。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 廣泛用于電子電路中。結(jié)型場效應(yīng)晶體管是一種可靠且有用的電子元件,可以很容易地用于從放大器到開關(guān)電路的各種電子電路中。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)有 3 個(gè)端子,分別命名為 Source(源極)、Drain(漏極)、Gate (柵極)
1、源極:是與通道的一端形成連接的終端。通常情況下,源極端子提供多數(shù)電荷載流子,會(huì)產(chǎn)生通過結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的電流。
2、漏極:漏極端子位于源極端子的另一端,大多數(shù)電荷載流子從一端移動(dòng)到另一端,并在晶體管的漏極端子收集。
3、柵極:此端子由基板上的兩個(gè)重度擴(kuò)散區(qū)域的組合連接形成,控制電流水平的電壓在柵極端子處提供。
通道:這是多數(shù)載流子從源極端子傳遞到漏極端子的區(qū)域。
結(jié)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)如下所示。由 N 型或 P 型材料制成的實(shí)心棒構(gòu)成了設(shè)備的主體。
柵材料沉積物之間的柵條部分的橫截面比柵條的其余部分小,并形成連接源極和漏極的“通道”。
下圖顯示了一個(gè) N 型材料的柵極和一個(gè) P 型材料的柵極。因?yàn)闇系乐械牟牧鲜荖型,所以該器件稱為 N 溝道結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)。在 P 溝道 結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)中,溝道由 P 型材料制成,柵極由 N 型材料制成。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)可以是 N 溝道器件或 P 溝道器件。它們可以以非常相似的方式制作,主要的例外是結(jié)構(gòu)中的 N 和 P 區(qū)域是互換的。
N 和 P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管 (JFET )之間的唯一實(shí)際區(qū)別是柵極材料和溝道之間形成的 PN 結(jié)的偏置。也就是根據(jù)制造時(shí)使用的基本半導(dǎo)體材料進(jìn)行分類,或者說,負(fù)責(zé)電流通過設(shè)備的多數(shù)載流子。
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