MOS管驅動電壓越高越好嗎?
MOS管驅動電壓是不是越高越好,分兩方面分析,首先驅動電壓低,意味著我們在開關MOS時產生的開關損耗比較小,特別是在一些高頻應用中。
但是另一方面,在一些使用MOS進行大電流開關應用的場合中,由于電流比較大,此時MOS由于Rds導通內阻的存在,會導致MOS發(fā)熱比較嚴重,為了減小MOS管的發(fā)熱,我們一般通過提高Gate驅動電壓來降低MOS管的Rds導通內阻,從而降低發(fā)熱。
我們都知道MOS管由于GS,GD寄生電容的存在導致MOS管存在一個平臺電壓,所以驅動電壓至少應大于平臺電壓,使得MOS管工作在飽和區(qū)。
MOS管驅動電壓最大是多少?
過驅動電壓Vod=Vgs-Vth??梢岳斫鉃椋撼^驅動門限(Vth)的剩余電壓大小。
1)只有在過驅動電壓“大于零”的情況下,溝道才會形成,MOS管才會工作。也就是說,能夠使用過驅動電壓來判斷晶體管是否導通。
2)溝道電荷多少直接與過驅動電壓二次方成正比。也就是說,能夠使用過驅動電壓來計算飽和區(qū)的電流。
3)如果能夠更加深入理解的話,可以領悟到過驅動電壓不單單適用于指代Vgs,也適用于指代Vgd。
即
Vod1=Vgs-Vth;
Vod2=Vds-Vth;
如果兩種Vod都大于零,說明晶體管溝道全開,也就是處于線性區(qū)。只有一種Vod大于零,說明晶體管溝道半開(在DS任意一端沒打開有夾斷),也就是處于飽和區(qū)。
MOS管驅動電壓 閾值電壓受襯偏效應的影響,即襯底偏置電位,du零點五微米工藝水平下一階mos spice模型的標準閾值電壓為nmos0.7v pmos負 0.8,過驅動電壓為Vgs減Vth。
MOS管,當器件由耗盡向反型轉變時,要經歷一個 Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時器 件處于臨界導通狀態(tài),器件的柵電壓定義為閾值電壓,MOSFET的重要參數之一 。
MOS管的閾值電壓等于背柵和源極接在一起時形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小于閾值電壓,就沒有溝道。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數載流子是電子,少數載流子是空穴,源漏區(qū)的摻雜類型是P型。
PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。
當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。
MOS管驅動電壓
正常驅動10-15,不要超過20V。
開啟的閾值電壓4-5V。
關斷最好有-5到-10V,或者保持低阻。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
QQ:709211280