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  • MOS管下拉電阻作用,柵源(G-S)極下拉電阻介紹
    • 發(fā)布時間:2024-05-16 17:56:41
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    MOS管下拉電阻作用,柵源(G-S)極下拉電阻介紹
    MOS柵源(G-S)極下拉電阻有什么作用?
    MOS是電壓驅(qū)動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電,這個微小的電荷可以儲存很長時間。
    MOS管 下拉電阻
    在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會直通了,一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻。  
    作用1:為場效應(yīng)管提供偏置電壓;
    作用2:起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S)。
    MOS管 下拉電阻
    首先第一個,“偏置電壓”:
    我們知道MOSFET一般柵極電壓比源極電壓高出一定的電壓,才能夠讓其開啟,這里的電壓差被稱為門源電壓。
    假使在這里沒有電阻起到偏置電壓的作用,那么 MOSFET 的源極電壓會因為隨著負載電流的變化而變化,導(dǎo)致門源電壓出現(xiàn)變化,從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。
    當(dāng)加入電阻以后,電阻會通過電壓降來微MOSFET提供一個穩(wěn)定的偏置電壓,穩(wěn)定 MOSFET 的工作狀態(tài)。
    第二個作用的原理分析,保護柵極G~源極S,場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉,兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極。這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護場效應(yīng)管的作用。
    MOSFET柵極(G)-源極(S)的下拉電阻詳細解釋
    MOSFET是高阻抗器件,在柵極(G)和源極(S)之間,存在一層絕緣體,即二氧化硅(SiO2)。MOS管有一個米勒效應(yīng),我們?yōu)榱吮苊夤茏娱L時間停留在一個米勒平臺上,會選擇加速MOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷時間,減少開關(guān)的損耗。
    一旦MOSFET驅(qū)動異常,米勒電容可能會通過電流給柵極(G)和源極(S)充電,接著小電流高阻抗對應(yīng)著高電壓,柵極電壓被充電,如若超過門檻電壓“Vgs(th)”,則易導(dǎo)致MOSFET重新開通,這是十分危險的。
    MOS管 下拉電阻
    下拉電阻對電荷的泄放路徑
    此外,當(dāng)MOSFET用于開關(guān)電路時,在開關(guān)過程中,如果柵極電壓沒有及時降下來,極易導(dǎo)致MOSFET處于部分導(dǎo)通狀態(tài),隨后產(chǎn)生大量的熱量,造成MOSFET損壞。再柵極(G)和源極(S)之間增加一個適當(dāng)?shù)南吕娮?,能夠起到加快柵極電壓的下降速度的作用,從而保護MOSFET。
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