您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管應用電路,MOS管驅(qū)動電路解析
    • 發(fā)布時間:2024-05-14 18:03:25
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    MOS管應用電路,MOS管驅(qū)動電路解析
    MOS管最顯著的特性是開關特性好,所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中,常見的如開關電源和馬達驅(qū)動,也有照明調(diào)光。
    1、低壓應用
    當使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。
    同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
    2、寬電壓應用
    輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。
    為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。
    同時,如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時候gate電壓不足,引起導通不夠徹底,從而增加功耗。
    3、雙電壓應用
    在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
    這就提出一個要求,需要使用一個電路,讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。
    在這三種情況下,圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求,而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC,似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。
    MOS管驅(qū)動電路
    MOS管驅(qū)動電路
    MOS管驅(qū)動電路
    NMOS PMOS 驅(qū)動電路
    針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析:
    Vl和Vh分別是低端和高端的電源,兩個電壓可以是相同的,但是Vl不應該超過Vh。
    Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱,用來實現(xiàn)隔離,同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導通。
    R2和R3提供了PWM電壓基準,通過改變這個基準,可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
    Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流,由于導通的時候,Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降,這個壓降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。
    R5和R6是反饋電阻,用于對gate電壓進行采樣,采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負反饋,從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。
    最后,R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制,R4提供了對MOS管的gate電流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。
    這個電路提供了如下的特性:
    1,用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。
    2,用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。
    3,gate電壓的峰值限制
    4,輸入和輸出的電流限制
    5,通過使用合適的電阻,可以達到很低的功耗。
    6,PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性,可以通過前置一個反相器來解決。
    自舉升壓電路
    MOS管驅(qū)動電路
    自舉升壓電路的原理圖如圖所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個方波信號,利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相,且高電平高于VDD的方波信號。
    當VIN為高電平時,NMOS管N1導通,PMOS管P1截止,C點電位為低電平。同時N2導通,P2的柵極電位為低電平,則P2導通。這就使得此時A點電位約為VDD,電容Cboot兩端電壓UC≈VDD。由于N3導通,P4截止,所以B點的電位為低電平。這段時間稱為預充電周期。
    當VIN變?yōu)榈碗娖綍r,NMOS管N1截止,PMOS管P1導通,C點電位為高電平,約為VDD。同時N2、N3截止,P3導通。這使得P2的柵極電位升高,P2截止。此時A點電位等于C點電位加上電容Cboot兩端電壓,約為2VDD。而且P4導通,因此B點輸出高電平,且高于VDD。這段時間稱為自舉升壓周期。
    〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相關閱讀