NMOS開關(guān)驅(qū)動電路
注:
Q5:一個NMOS管。
R25/100R 的作用:
防止振蕩
減少柵極充電的峰值電壓
保護NMOS管的D-S及不被擊穿
防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況下,可能會產(chǎn)生LC振蕩,當我們加入R25之后,會提高阻尼減少振蕩。
減少柵極充電的峰值電壓,當柵極的電壓拉高,首先對柵極的寄生電容進行充電,I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力,為了保護IC,添加R25之后,可能有效的增長充電的時間,進而減小充電時候的電流。
從導(dǎo)通到截止狀態(tài),VDS電壓迅速增加,如果dVDS/dt過大,可能會燒壞器件,R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電,從而保護mos管。
R26 10K的作用:
下拉型抗干擾電阻,GPIO輸出狀態(tài)下,在Nmos端,可以看出mos端處于一個高阻態(tài)或者懸浮的一個狀態(tài),為了避免意外打開mos管,加上了個10k下拉。
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