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開(kāi)關(guān)電源損耗之二極管的功率損耗解析
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-07-17 19:56:39
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開(kāi)關(guān)電源損耗之二極管的功率損耗解析
二極管的功率損耗
二極管作為開(kāi)關(guān)元件,MOSFET 導(dǎo)通時(shí)二極管無(wú)電流流過(guò),斷開(kāi)時(shí)電流流經(jīng)回路2。因此,二極管的功率損耗同樣由傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗組成。
二極管的傳導(dǎo)損耗
二極管的傳導(dǎo)損耗則在很大程度上取決于正向?qū)妷?VF)。二極管通常比 MOSFET 損耗更大,二極管損耗與正向電流、VF 和導(dǎo)通時(shí)間成正比。
由于 MOSFET 斷開(kāi)時(shí)二極管導(dǎo)通,二極管的傳導(dǎo)損耗(PCOND(DIODE))近似為:
PCOND(DIODE) = IDIODE(ON) * VF * (1 – D)
式中,IDIODE(ON)為二極管導(dǎo)通期間的平均電流。
二極管導(dǎo)通期間的平均電流為 IOUT,因此,對(duì)于 Buck 變換器,PCOND(DIODE)可以按照下式估算:
PCOND(DIODE) = IOUT * VF * (1 – VOUT/VIN)
與 MOSFET 功耗計(jì)算不同,采用平均電流即可得到比較準(zhǔn)確的功耗計(jì)算結(jié)果,因?yàn)槎O管損耗與 I 成正比。
顯然,MOSFET 或二極管的導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng),傳導(dǎo)損耗也越大。對(duì)于 Buck 變換器,輸出電壓越低,二極管產(chǎn)生的功耗也越大,因?yàn)樗幱趯?dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間越長(zhǎng)。
二極管的開(kāi)關(guān)損耗
與 MOSFET 相同,二極管也存在開(kāi)關(guān)損耗。這個(gè)損耗很大程度上取決于二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(tRR),二極管開(kāi)關(guān)損耗發(fā)生在二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂沟霓D(zhuǎn)換過(guò)程。
當(dāng)反向電壓加在二級(jí)管兩端時(shí),正向?qū)娏髟诙O管上產(chǎn)生的累積電荷需要釋放,產(chǎn)生反向電流尖峰(IRR(PEAK)),極性與正向?qū)娏飨喾?,從而造?V × I 功率損耗,因?yàn)榉聪蚧謴?fù)期內(nèi),反向電壓和反向電流同時(shí)存在于二極管。
下圖給出了二極管在反向恢復(fù)期間的 PN 結(jié)示意圖。
二極管 功率損
圖 二極管結(jié)反偏時(shí),需要釋放正向?qū)ㄆ陂g的累積電荷,產(chǎn)生峰值電流 IRR(PEAK)
了解了二極管的反向恢復(fù)特性,可以由下式估算二極管的開(kāi)關(guān)損耗(PSW(DIODE)):
PSW(DIODE) = 0.5 * VREVERSE * IRR(PEAK) * tRR2 * fS
其中,VREVERSE是二極管的反向偏置電壓,IRR(PEAK)是反向恢復(fù)電流的峰值,tRR2是從反向電流峰值 IRR(PEAK)到恢復(fù)電流為正的時(shí)間。
對(duì)于 Buck 變換器,當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通的時(shí)候,VIN為 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)二極管的反向偏置電壓。
二極管的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗實(shí)測(cè)
為了驗(yàn)證二極管損耗計(jì)算公式,實(shí)測(cè)了 Buck 變換器中 PN 結(jié)的開(kāi)關(guān)波形,如圖所示。
二極管 功率損
圖 Buck 變換器中 PN 結(jié)開(kāi)關(guān)二極管的開(kāi)關(guān)波形
具體參數(shù)為:VIN = 10V、VOUT =3.3V,測(cè)得 IRR(PEAK) = 250mA、IOUT = 500mA、fS = 1MHz、 tRR2 = 28ns、VF = 0.9V。
利用這些數(shù)值可以得到:
二極管 功率損
該結(jié)果接近于圖所示測(cè)量結(jié)果 358.7mW。考慮到較大的 VF和較長(zhǎng)的二極管導(dǎo)通周期,tRR時(shí)間非常短,傳導(dǎo)損耗(PSW(DIODE))在二極管損耗中占主導(dǎo)地位。
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