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  • MOS晶體管的源極和基底等電位-n溝MOS晶體管加偏置電壓
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-10-28 14:19:02
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    當(dāng)源極-基底間加偏置時(shí),閾值電壓變化
    在很多,隋況下,MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果,使圖1.31中基底(襯底或者阱)與溝道間的pn結(jié)處于零偏置。當(dāng)源極—基底間加反向(或者正向)偏置電壓VSB時(shí),MOS晶體管的閾值電壓就會(huì)發(fā)作變化。
    mos管
    如今討論圖1. 32示出的n溝MOS晶體管加偏置電壓(VSB>O)時(shí)的狀況。
    反向偏置電壓VSB會(huì)使溝道下的耗盡層擴(kuò)展。由于耗盡層的擴(kuò)展,耗盡層的負(fù)電離子數(shù)增加,而溝道區(qū)的電子數(shù)目相應(yīng)地減少,使得與多晶硅柵中的正電荷堅(jiān)持均衡。由于溝道區(qū)電子數(shù)目的減少,招致溝道的厚度變薄。
    為了使溝道恢復(fù)到原來(lái)的厚度,必需加更大的柵極—源極間電壓YGS。其結(jié)果,這個(gè)反向偏置電壓Vs。招致了閾值電壓的上升。
    這種由于源極—基底間電壓VSB招致閾值電壓發(fā)作變化的現(xiàn)象,稱為襯底偏置效應(yīng)(body effect)或者背柵效應(yīng)(back-gate effect)。
    mos管
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