圖7.2的復(fù)制電流源中，假如輸出電壓有△Vout的變動(dòng)，那么電流源電路的電流將經(jīng)過(guò)M2輸出電阻r02變化。這個(gè)變化量為△Iout，那么下式成立：
電流源電路的性能由輸出電壓的變動(dòng)△Vout起電流量的變動(dòng)△Iout定義，這個(gè)值越小，性能越好。從式(7.3)能夠看出，當(dāng)增大電流源電路的輸出電阻ro2時(shí)，有利于電流源性能的進(jìn)步。
常用柵源放大電路作為增大模仿電路輸出電阻的手腕。如圖7.3所示，假如監(jiān)視參考電流的電路與產(chǎn)生復(fù)制電流的電路都是柵源構(gòu)造(將器件串級(jí)銜接的構(gòu)造).就能構(gòu)成輸出電阻大的電流源電路。圖7.3的柵源電路中，M3的漏極電阻r03是M4的本征增益gm4倍的輸出電阻(gm4d r04) r03。放大電路中，為了進(jìn)步電壓增益而進(jìn)步輸出電阻。同樣的辦法也被用來(lái)進(jìn)步電流源電路的輸出電阻。柵源電路中，依據(jù)式(7，3)，輸出電流的變化量△Iout能夠進(jìn)一步伐整M4的本征增益（gmro4).
但是由于有4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之間的閾值電壓VT上必需加額外的電壓△ov。圖7.4所示的柵源電流源電路中，處于監(jiān)視側(cè)（左側(cè)）的兩個(gè)MOS晶體管的柵極電位分別是VT十△ov2（VT+△DV）。這時(shí)，為使所定的電流流過(guò)M4的源極電壓是VT十△ov，所以由飽和區(qū)工作條件得到的輸出電壓Vout下限是VT+ 2△ov。例如，假如MOS晶體管的閾值電壓VT=0.5V，△OV=0. 2V，那么輸出電壓的下限就是o.9v。
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