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CMOS電路輸入阻抗高有利于并行連接多個器件嗎
2019-08-08
輸入阻抗高由于柵氧化膜與硅襯底絕緣，所以CMOS的輸入具有十分高的輸入阻抗。實踐的CMOS器件中，輸入級裝備有維護(hù)電路（維護(hù)二極管或維護(hù)MO
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mos管工作原理-最全面mos管工作原理文章
2019-08-08
MOS管工作原理MOS管定義MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。其結(jié)構(gòu)示意圖：結(jié)構(gòu)示意圖解析1）溝道上面圖
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N溝道MOS管與P溝道MOS管知識
2019-08-07
詳解，N溝道MOS管和P溝道MOS管先講講MOS CMOS集成電路MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，
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cmos保護(hù)電路中的什么特征還有它的優(yōu)勢是在哪個方面
2019-08-07
輸入維護(hù)電路當(dāng)器件加有過大的電壓或電流時，器件會遭到損傷而導(dǎo)致性能劣化，嚴(yán)重時會被擊穿。這時芯片上的布線或器件的分離局部將會被毀壞
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mos管漏極電流電壓和什么有關(guān)
2019-08-07
漏極電流與VGS呈指數(shù)關(guān)系至此，所考慮的MOS晶體管的工作，都是柵極—源極間電壓VGS比閾值電壓VT大時的狀況。當(dāng)VGS比VT大很多時，在柵氧化膜
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如何測試運(yùn)輸失調(diào)電壓的方法
2019-08-07
圖9 27示出普通的OP放大器的符號。理想的OP放大器中，輸入電壓與輸出電壓的關(guān)系是這里的Vdm是OP放大器的電壓增益。所以當(dāng)Vinp=Vinn時，輸出
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mos源極接地電路中的負(fù)載驅(qū)動工作原理知識
2019-08-07
源極接地電路中的負(fù)載驅(qū)動上一節(jié)討論的2級結(jié)構(gòu)OP放大器的輸出級是源極接地電路?，F(xiàn)在討論這種2級結(jié)構(gòu)OP放大器的輸出級驅(qū)動負(fù)載電阻的情況。
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MOS晶體管的閾值電壓輸出特點(diǎn)詳解
2019-08-06
邏輯閾值電壓由于邏輯閾值電壓是式(10 1)中的-IDS與式(10 2)中的IDS相等時的電壓，所以應(yīng)用這個關(guān)系能夠求得Vin：假如KN=Kp，即KN KP=1，經(jīng)
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mos管結(jié)構(gòu)的簡說-初學(xué)入門必讀
2019-08-06
普通狀況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導(dǎo)通時需求是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極
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MOS管電容-MOS管的高頻小信號電容詳情
2019-08-06
MOS管的高頻小信號電容從MOS管的幾何構(gòu)造及工作原理能夠發(fā)現(xiàn)，MOS管存在著多種電容，這會影響MOS管的高頻性能。依據(jù)MOS管的幾何構(gòu)造構(gòu)成的
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場效應(yīng)MOS管工作原理-最全面場效應(yīng)管工作原理
2019-08-06
MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路。簡單解釋一下MOS場效應(yīng)管的工作原理。MOS 場效應(yīng)管也被稱為MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field E
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半導(dǎo)體是什么-半導(dǎo)體包括哪些材料-詳細(xì)
2019-08-05
半導(dǎo)體金屬（例如鋁、銅和銀）都是很好的電導(dǎo)體，原子周期性規(guī)則排列。原子外層電子（價電子）可以在材料中自由移動。由于原子的數(shù)量非常大