MOS管是電壓驅(qū)動,按理說只需柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS,柵極串多大電阻均能導通。但假如請求開關頻率較高時,柵對地或VCC能夠看做是一個電容,關于一個電容來說,串的電阻越大,柵極到達導通電壓時間越長,MOS處于半導通狀態(tài)時間也越長,在半導通狀態(tài)內(nèi)阻較大,發(fā)熱也會增大,極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小,普通要加前置驅(qū)動電路的。下面我們先來理解一下MOS管開關的根底學問。
1、MOS管品種和構造
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),能夠被制形成加強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4品種型,但實踐應用的只要加強型的N溝道MOS管和加強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不運用耗盡型的MOS管,不提倡尋根究底。
關于這兩種加強型MOS管,比擬常用的是NMOS.緣由是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅(qū)動的應用中,普通都用NMOS下面的引見中,也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需求的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時分要費事一些,但沒有方法防止,后邊再細致引見。
在MOS管原理圖上能夠看到,漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,在驅(qū)動理性負載(如馬達),這個二極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
2、MOS管導通特性
導通的意義是作為開關,相當于開關閉合。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,合適用于源極接地時的狀況(低端驅(qū)動),只需柵極電壓到達4V或10V就能夠了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,合適用于源極接VCC時的狀況(高端驅(qū)動)。但是,固然PMOS能夠很便當?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動,但由于導通電阻大,價錢貴,交換品種少等緣由,在高端驅(qū)動中,通常還是運用NMOS。
3、MOS開關管損失
不論是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上耗費能量,這局部耗費的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。如今的小功率MOS管導通電阻普通在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時分,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個降落的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多,而且開關頻率越快,損失也越大。
導通霎時電壓和電流的乘積很大,形成的損失也就很大。縮短開關時間,能夠減小每次導通時的損失;降低開關頻率,能夠減小單位時間內(nèi)的開關次數(shù)。這兩種方法都能夠減小開關損失。
4、MOS管驅(qū)動
跟雙極性晶體管相比,普通以為使MOS管導通不需求電流,只需GS電壓高于一定的值,就能夠了。這個很容易做到,但是,我們還需求速度。
在MOS管的構造中能夠看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,實踐上就是對電容的充放電。對電容的充電需求一個電流,由于對電容充電霎時能夠把電容看成短路,所以瞬時電流會比擬大。選擇/設計MOS管驅(qū)動時第一要留意的是可提供霎時短路電流的大小。
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