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晶體管工作原理-晶體管分類-分析全面晶體管工作原理大全
2020-02-17
晶體管工作原理-晶體管分類-分析全面晶體管工作原理大全電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、
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驅(qū)動(dòng)變壓器電路解析
2020-02-16
驅(qū)動(dòng)變壓器電路解析驅(qū)動(dòng)變壓器的恢復(fù)在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基—射結(jié)間的恢復(fù)電流已經(jīng)
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mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析
2020-02-15
mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析MOSFET 管的最大柵極電壓大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越
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MOS晶體管種類-mos管種類名稱詳情
2020-02-14
MOS晶體管種類-mos管種類名稱詳情MOS晶體管種類按溝道區(qū)中載流子類型分N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重?fù)诫s的N＋，溝道中載流子為電子P
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cmos及pmos-pmos工藝產(chǎn)品介紹與原理詳解
2020-01-17
cmos及pmos-pmos工藝產(chǎn)品介紹與原理詳解目前，MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸 MOSFET的主要技
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CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖
2020-01-17
CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖圖14 23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強(qiáng)型MOSFET；對(duì)P
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MOS管的參數(shù)詳解
2020-01-17
MOS管的參數(shù)詳解MOS管主要參數(shù)如下：1 開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；-規(guī)范
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n-p溝道m(xù)os管工作原理
2020-01-17
n-p溝道m(xù)os管工作原理P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯
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導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)圖解
2020-01-17
導(dǎo)通瞬間基極驅(qū)動(dòng)圖解導(dǎo)通瞬間基極過驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2
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單片開關(guān)電源的基本原理解析
2020-01-17
單片開關(guān)電源的基本原理解析單片MOS開關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少，輸出與輸人間有電
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CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施介紹
2020-01-17
CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施介紹cmos應(yīng)用在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道m(xù)os管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，
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晶體管工作原理-晶體管分類介紹-解析全面晶體管工作原理大
2020-01-16
晶體管工作原理-晶體管分類介紹-解析全面晶體管工作原理大全電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電