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  • CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施介紹
    • 發(fā)布時間:2020-01-17 10:59:27
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    CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施介紹
    cmos應(yīng)用
    在CMOS應(yīng)用中能同時將p溝道m(xù)os管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上.需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟,以便在襯底中成“阱”或“盆(tub)”.阱中的摻雜種類與周圍襯底不同.阱的典型種類有p阱、n阱以及雙阱.阱技術(shù)的詳細(xì)內(nèi)容將于第14章中討論.圖6. 31為使用p阱技術(shù)制作的CMOS反相器的剖面圖.在此圖中,p溝道與n溝道MoSFET分別制作于n型硅襯底以及p阱之中.
    CMOS
    cmos電路
    CMOS電路的阱結(jié)構(gòu)最主要的問題在于閂鎖現(xiàn)象,閂鎖是由阱結(jié)構(gòu)中寄生的pn—p-n二極管作用所造成的,如圖6.3】所示,寄生的p—n-I,一n二極管是由一橫向的p-n-p及一縱向的n-p-n雙極型晶體管所組成的.p溝道MOSFFT的源極、n襯底及p阱分別為橫向p-n-p雙極型晶體管的發(fā)射極、基極及集電極;n溝道MOSFET的源極、p阱及n襯底分別為縱向n-p-n雙極型晶體管的發(fā)射極、基極及集極其寄生部分的等效電路如圖6.32所示.凡及Rw分別為襯底及阱中的串聯(lián)電阻.每一晶體管的基極是由另一晶體管的集電極所MOS管驅(qū)動,并形成一正反饋回路,其架構(gòu)就如第5章中所討論的可控硅器件( thyristor).閂鎖發(fā)生于兩個雙極型晶體管的共射電流增益乘積大于l時.當(dāng)發(fā)生閂鎖時'一大電流將由電源供應(yīng)處(Vpo)流向接地端,導(dǎo)致一般正常電路工作中斷,甚至?xí)捎诟唠娏魃岬膯栴}.而損壞芯片本身.
    CMOS
    為避免發(fā)生閂鎖效應(yīng),必須減少寄生雙極型晶體管的電流增益,一種方法是使用金摻雜或中子輻射,以降低少數(shù)載流子的壽命,但此方法不易控制且也會導(dǎo)致漏電流的增加.深阱結(jié)構(gòu)或高能量注入以形成倒退阱( retrograde well),可以提升基極雜質(zhì)濃度,因而降低縱向雙極型晶體管的電流增益.在倒退阱結(jié)構(gòu)中,阱摻雜濃度的峰值位于遠(yuǎn)離表面的襯底中.另一種減少閂鎖效應(yīng)的方法,是將器件制作于高摻雜襯底上的低摻雜外延層中,如圖6. 33所示.高摻雜襯底提供一個收集電流的高傳導(dǎo)路徑,這些電流隨后會由表面接點流出.
    CMOS
    閂鎖亦可通過溝槽隔離(trench isolation.或譯溝渠絕緣)結(jié)構(gòu)來加以避開,制作溝槽隔離的工藝將于第14章中討論.因為n溝道與p溝道MOSFET被溝槽所隔開,所以此種方法可以消除閂鎖.
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