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六個(gè)可能讓MOS管失效的原因解析目前在市場應(yīng)用方面,排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB
全面解析MOS管特性-驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用電路在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流
用MOS管防止電源反接的原理圖解一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會(huì)給電路造成不必要的損耗,尤其是
怎么確保MOS管工作在安全區(qū)電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問題了呢?這一切
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)知識(shí)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不
電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)-MOS管驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選
MOS管封裝形式介紹主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點(diǎn),視線從供電相數(shù)開始向MOSFET器件轉(zhuǎn)移。這是因?yàn)殡S著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展,大電流、
全面講解MOS管驅(qū)動(dòng)電路下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電
四大規(guī)則教你如何正確選擇MOS管法則之一:用N溝道or P溝道選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,
MOS管被ESD擊穿的解決方案介紹大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌。ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,
MOS管失效的六大原因MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
MOS管及最簡單CMOS邏輯門電路1、MOS管MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:以N型管為例,2端為控制端,稱為柵極;3端通常接地,稱為