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淺談LLC變壓器設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個(gè)變壓器;所述變壓器的
用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩-怎么解決因?yàn)镸OSFET是單極性器件,因此寄生電容是開關(guān)瞬態(tài)唯一的限制因素。電荷平衡原理降低了特定面積的導(dǎo)通
CMOS集成電路電阻的應(yīng)用解析目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,
怎么選擇MOSFET-電機(jī)控制本文主要討論特定終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng),首先從終端應(yīng)用中將用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的FET著手。電機(jī)控制是30V-100V
一種簡(jiǎn)單的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中,利用
場(chǎng)效應(yīng)管原理-場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型與其參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道
CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展趨勢(shì)介紹自從1947年第一支晶體管的發(fā)明,半導(dǎo)體集成電路在二十世紀(jì)的后三十年有了一個(gè)極大的發(fā)展。這個(gè)發(fā)展極大的推
三極管開關(guān)電路與場(chǎng)效應(yīng)管電路優(yōu)劣比較一般我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)時(shí)候,三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路有著以下四種區(qū)別:首先是三極管是用電流
一種實(shí)用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路3 3V--5V當(dāng)你使用3 3V的單片機(jī)的時(shí)候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會(huì)遇到3 3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3 3V的情況,這里介紹一個(gè)
介紹幾款場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖場(chǎng)效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出,500W。場(chǎng)管跟普功率最大不同就是場(chǎng)管是用電壓驅(qū)動(dòng),在驅(qū)動(dòng)級(jí)上有些不一樣,沒弄過場(chǎng)管功
超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)介紹平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)
開關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用介紹寄生二極管由來是由生產(chǎn)工藝造成的,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管