您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問
掃一掃訪問手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
雙柵MOS場效應(yīng)管特性與應(yīng)用,圖文知識解析
2020-11-10
雙柵MOS場效應(yīng)管特性與應(yīng)用,圖文知識解析雙柵MOS場效應(yīng)管特性及應(yīng)用雙柵MOS場效應(yīng)管(以下簡稱雙柵管)是一種新型的高頻低噪聲放大器件，其突
-
MOS管知識,V-MOS場效應(yīng)管功放工作原理介紹
2020-11-10
MOS管知識,V-MOS場效應(yīng)管功放工作原理介紹(一)V-MOS場效應(yīng)管功放：電路工作原理V-MOS場效應(yīng)管功放由輸入、激勵和功率放大三級構(gòu)成,級間采用
-
晶圓是什么-MOS管晶圓性能參數(shù)知識介紹
2020-11-10
晶圓是什么-MOS管晶圓性能參數(shù)知識介紹MOS管晶圓是什么晶圓是指制作硅半導(dǎo)體積體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后
-
場效應(yīng)管(MOSFET)N、P溝道區(qū)分與導(dǎo)通條件詳解
2020-11-10
場效應(yīng)管(MOSFET)N、P溝道區(qū)分與導(dǎo)通條件詳解場效應(yīng)管(MOSFET)N、P溝道區(qū)分與導(dǎo)通條件場效應(yīng)管N、P溝道區(qū)分及導(dǎo)通：如何區(qū)分場效應(yīng)管是N溝
-
MOS集成電路的功能知識分析
2020-11-10
MOS集成電路的功能知識分析MOS集成電路的功能(1)放大MOS晶體管作為有源元件，本來就是用作放大元件的。在圖3 15所示的互補(bǔ)型電路中，P溝道
-
MOS管知識-MOS集成電路的檢測注意事項介紹
2020-11-09
MOS管知識-MOS集成電路的檢測注意事項介紹MOS集成電路的檢測注意事項(1)MOS集成電路檢測的一般注意事項以往在購進(jìn)晶體管，二極管等元件時，
-
場效應(yīng)管小知識-場效應(yīng)管高頻電路解析
2020-11-09
場效應(yīng)管小知識-場效應(yīng)管高頻電路解析場效應(yīng)管高頻電路MOS場效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高，它的實用頻率已擴(kuò)展到甚高頻乃至超高頻段。一般
-
MOS管為什么會炸裂-原因就在這里
2020-11-09
MOS管為什么會炸裂-原因就在這里MOS管炸裂原因我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因：開關(guān)器件長
-
MOS管工藝-CMOS工藝詳解
2020-11-09
MOS管工藝-CMOS工藝詳解CMOS工藝詳細(xì)解析CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個襯底上同時制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中
-
單場效應(yīng)管功率放大器圖解析
2020-11-09
單場效應(yīng)管功率放大器圖解析場效應(yīng)管功率放大器微弱的信號經(jīng)過小信號放大器(或稱前置放大器)逐級放大后，去控制某些執(zhí)行機(jī)構(gòu)，如喇叭、繼電
-
解析雙場效應(yīng)管推挽功率放大器知識圖解
2020-11-09
解析雙場效應(yīng)管推挽功率放大器知識圖解雙場效應(yīng)管推挽功率放大器由于單場效應(yīng)管功率放大器存在效率低、輸出功率小等缺點，所以我們必須在提
-
高速MOS驅(qū)動應(yīng)用指南詳情解析
2020-11-09
高速MOS驅(qū)動應(yīng)用指南詳情解析高速MOS驅(qū)動應(yīng)用指南高速MOS驅(qū)動應(yīng)用：雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管有著相同的工作原理。從根本上說,，兩種類型晶