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MOSFET圖文解析-從器件物理層面看MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2020-11-16
MOSFET圖文解析-從器件物理層面看MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)從器件物理層面看MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu):MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor
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MOS管應(yīng)用電路與經(jīng)典電路分析
2020-11-16
MOS管應(yīng)用電路與經(jīng)典電路分析MOS管應(yīng)用電路MOS管最顯著的特性是開(kāi)關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，常見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源和馬
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MOS管鉗位電壓計(jì)算與MOSFET鉗位電路工作原理
2020-11-16
MOS管鉗位電壓計(jì)算與MOSFET鉗位電路工作原理MOS管鉗位電壓計(jì)算MOS管鉗位，在開(kāi)關(guān)電源中，每當(dāng)MOS管有導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)，都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)尖峰電壓
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MOS管開(kāi)通,關(guān)斷-了解MOS管的開(kāi)通,關(guān)斷原理解析
2020-11-16
MOS管開(kāi)通,關(guān)斷-了解MOS管的開(kāi)通,關(guān)斷原理解析MOS管的開(kāi)通,關(guān)斷了解MOS管的開(kāi)通,關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便
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MOS管(MOSFET)基礎(chǔ)知識(shí)-結(jié)構(gòu),特性,驅(qū)動(dòng)電路詳解
2020-11-16
MOS管(MOSFET)基礎(chǔ)知識(shí)-結(jié)構(gòu),特性,驅(qū)動(dòng)電路詳解MOS管(MOSFET)基礎(chǔ)知識(shí)：結(jié)構(gòu),特性,驅(qū)動(dòng)電路下面是對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)
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場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管使用安裝與拆卸注意事項(xiàng)
2020-11-16
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管使用安裝與拆卸注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管使用安裝及拆卸-MOS簡(jiǎn)介：MOS場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)電路的作用是信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷
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MOS管封裝知識(shí)-MOS管封裝分類(lèi)匯總圖文詳解
2020-11-14
MOS管封裝知識(shí)-MOS管封裝分類(lèi)匯總圖文詳解MOS管封裝分類(lèi)知識(shí)在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。
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場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)的形成與特性詳細(xì)解析
2020-11-14
場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)的形成與特性詳細(xì)解析場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)的形成和特性眾所周知,導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物體,稱(chēng)之為半導(dǎo)體。它可分為本征半導(dǎo)
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào)與工作原理知識(shí)分享
2020-11-14
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào)與工作原理知識(shí)分享(一)結(jié)構(gòu)、符號(hào)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),符號(hào),工作原理：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有N溝道和P溝道兩種。 N溝道結(jié)型場(chǎng)
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MOS管知識(shí)-MOS管的導(dǎo)通過(guò)程與損耗分析詳解
2020-11-14
MOS管知識(shí)-MOS管的導(dǎo)通過(guò)程與損耗分析詳解1 MOS管的導(dǎo)通過(guò)程和損耗分析： MOS管導(dǎo)通過(guò)程MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示，它們
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MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)與工作原理
2020-11-14
MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)與工作原理MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)MOSFET憑開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到
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MOS管知識(shí)-MOSFET耗散功率計(jì)算圖文詳解
2020-11-14
MOS管知識(shí)-MOSFET耗散功率計(jì)算圖文詳解計(jì)算MOSFET的耗散功率為了確定一個(gè)MOSFET是否適合于某特定應(yīng)用，你必須計(jì)算一下其功率耗散，它主要包