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MOS管并聯(lián)與晶體管和MOS管的并聯(lián)理論
2020-11-28
MOS管并聯(lián)與晶體管和MOS管的并聯(lián)理論晶體管與MOS管并聯(lián)理論：(1)、晶體管具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)變小。(2)、MOS管具
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MOS管與其擴(kuò)展知識(shí)總結(jié)
2020-11-27
MOS管與其擴(kuò)展知識(shí)總結(jié)MOS管及其擴(kuò)展知識(shí)今天簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅M
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MOS管、三極管-電平轉(zhuǎn)換電路的詳細(xì)介紹
2020-11-27
MOS管、三極管-電平轉(zhuǎn)換電路的詳細(xì)介紹MOS管、三極管-電平轉(zhuǎn)換電路分析電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計(jì)中會(huì)經(jīng)常用到，市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片
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集成電路知識(shí)|MOS管二級(jí)效應(yīng)與其小信號(hào)等效
2020-11-27
集成電路知識(shí)|MOS管二級(jí)效應(yīng)與其小信號(hào)等效MOS管二級(jí)效應(yīng)及其小信號(hào)等效二級(jí)效應(yīng)體效應(yīng)由于源極和襯底之間存在電壓差，是的器件的電流方程
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NCEP039N10D鋰電保護(hù)板專用|規(guī)格書參數(shù)資料知識(shí)
2020-11-27
NCEP039N10D鋰電保護(hù)板專用|規(guī)格書參數(shù)資料知識(shí)NCE n通道超級(jí)溝槽II功率MOSFETNCEP039N10D-描述：該系列設(shè)備使用超級(jí)戰(zhàn)壕II技術(shù)，即獨(dú)特優(yōu)
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短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)分析
2020-11-27
短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)分析MOSFET的短溝道效應(yīng)當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì)出現(xiàn)一些不同于
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詳細(xì)解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識(shí)要點(diǎn)
2020-11-27
詳細(xì)解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識(shí)要點(diǎn)MOS管示意圖，構(gòu)造解析下圖MOS管工作原理示意圖為N溝道增強(qiáng)型MOS管工作原理示意圖，其電路符號(hào)如圖所示。
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防倒灌電路設(shè)計(jì)-MOS管防倒灌電路知識(shí)分享
2020-11-27
防倒灌電路設(shè)計(jì)-MOS管防倒灌電路知識(shí)分享MOS管防倒灌電路MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示:在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口
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MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解詳析,就是這么簡(jiǎn)單
2020-11-26
MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解詳析,就是這么簡(jiǎn)單MOS管結(jié)構(gòu)原理MOS管又稱場(chǎng)效應(yīng)管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semicondu
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什么是Qg,MOS管Qg的概念詳解
2020-11-26
什么是Qg,MOS管Qg的概念詳解MOS管Qg的概念解析MOS管Qg概念Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，是指MOS開關(guān)完全
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理詳細(xì)解析
2020-11-26
電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理詳細(xì)解析MOS管H橋原理電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)
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開關(guān)知識(shí)|模擬多路開關(guān)-MOSFET|概述與工作原理
2020-11-26
開關(guān)知識(shí)|模擬多路開關(guān)-MOSFET|概述與工作原理多路開關(guān)-MOSFET：概述多路開關(guān):在多路被測(cè)信號(hào)共用一路A D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用來(lái)將多