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肖特基勢(shì)壘詳解,肖特基勢(shì)壘二極管介紹
2024-04-25
肖特基勢(shì)壘詳解,肖特基勢(shì)壘二極管介紹肖特基勢(shì)壘肖特基勢(shì)壘（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，即具有大的勢(shì)壘高
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LM741芯片引腳圖功能圖,LM741芯片參數(shù)特點(diǎn)介紹
2024-04-25
LM741芯片引腳圖功能圖,LM741芯片參數(shù)特點(diǎn)介紹lm741芯片LM741是一款通用運(yùn)算放大器芯片，它具有通過(guò)兩個(gè)引腳進(jìn)行零偏移調(diào)整的能力；被認(rèn)為
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mos管散熱片需要絕緣嗎,mos管散熱片要接地嗎
2024-04-25
mos管散熱片需要絕緣嗎,mos管散熱片要接地嗎mos管散熱片要絕緣嗎？MOS管是功率元器件，發(fā)熱量比較大，需要額外輔助散熱，可以保障MOS管不被
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NMOS開(kāi)關(guān)電路,NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)圖解
2024-04-25
NMOS開(kāi)關(guān)電路,NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)圖解NMOS開(kāi)關(guān)電路一NMOS低側(cè)電源開(kāi)關(guān)使用NMOS，最簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電路，低側(cè)驅(qū)動(dòng)。CONTROL為控制信號(hào)，電平一般為
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p溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作原理,導(dǎo)通條件介紹
2024-04-25
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作原理,導(dǎo)通條件介紹p溝道場(chǎng)效應(yīng)管P溝道場(chǎng)效應(yīng)管由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的溝道、柵極以及源極和漏極組成。溝道是P型半導(dǎo)體，其
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mos管屬于晶體管嗎,MOS管與晶體管介紹
2024-04-24
mos管屬于晶體管嗎,MOS管與晶體管介紹mos管屬于晶體管嗎？MOS管屬于晶體管。晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體
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d2pak封裝,d2pak封裝尺寸,d2pak封裝和to263圖
2024-04-24
d2pak封裝,d2pak封裝尺寸,d2pak封裝和to263圖MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上外殼，就是MOS管封裝。不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS
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過(guò)零比較器原理,過(guò)零比較器電路圖解析
2024-04-24
過(guò)零比較器原理,過(guò)零比較器電路圖解析過(guò)零比較器即為在輸入信號(hào)穿越0電平時(shí)，輸出脈沖。將輸入信號(hào)與零電平進(jìn)行比較。當(dāng)輸入信號(hào)的電壓超過(guò)
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7133穩(wěn)壓管參數(shù),7133引腳圖,7133三端穩(wěn)壓管
2024-04-24
7133穩(wěn)壓管參數(shù),7133引腳圖,7133三端穩(wěn)壓管7133穩(wěn)壓管參數(shù)最大輸出電流：50mA輸入電壓：VI = 30V輸出電壓：VO = 3 3V連續(xù)總耗散功率：P
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bjt和fet的區(qū)別,比較解析
2024-04-24
bjt和fet的區(qū)別,比較解析FET的全稱是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor），通過(guò)在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來(lái)改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。在
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功率放大電路,功率放大電路的類型,特點(diǎn),作用詳解
2024-04-24
功率放大電路,功率放大電路的類型,特點(diǎn),作用詳解功率放大電路是以輸出較大功率為目的的放大電路。功率放大電路包含一個(gè)輸入級(jí)，其任務(wù)是將
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c945參數(shù)和管腳圖,c945引腳圖功能詳解
2024-04-24
c945參數(shù)和管腳圖,c945引腳圖功能詳解c945參數(shù)與管腳圖C945是常用的小功率NPN型晶體管，封裝形式為T(mén)O-92，可以驅(qū)動(dòng)的最大負(fù)載約為150mA，可