p溝道場(chǎng)效應(yīng)管
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的溝道、柵極以及源極和漏極組成。溝道是P型半導(dǎo)體，其中多數(shù)載流子為空穴。
導(dǎo)電通道類型： P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電通道是p型半導(dǎo)體構(gòu)成的，在介質(zhì)中需要接通陰極和陽(yáng)極之間的電流，需要施加負(fù)電壓到柵極上。
極性： P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)源極的介質(zhì)結(jié)構(gòu)呈正電壓。
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作原理
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管是由溝道、柵極和源、漏極組成。在工作時(shí)，柵極和漏極間存在反向電壓，形成了橫向電場(chǎng)，使溝道中的載流子移動(dòng)方式發(fā)生變化，進(jìn)而控制漏極與源極之間的電流大小。當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，溝道中的空穴濃度減小，形成一個(gè)減小的導(dǎo)電截面，電流減小，器件為“關(guān)態(tài)”；當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時(shí)，溝道中的空穴濃度增加，形成擴(kuò)散區(qū)域，電流增加，器件為“開態(tài)”。
電流控制：
柵極電壓控制溝道中的空穴濃度，進(jìn)而控制源極和漏極之間的電流。
柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制溝道截面積，從而控制電流。
由于P溝道MOSFET在關(guān)態(tài)時(shí)漏電流較小，它常被用作低功耗電路中的開關(guān)或放大器。在需要高輸入阻抗的應(yīng)用中，P溝道MOSFET也表現(xiàn)出色。
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通條件
在G極上加一個(gè)觸發(fā)電壓，使N極與D極導(dǎo)通。對(duì)N溝道G極電壓為+極性。對(duì)P溝道的G極電壓為-極性。場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對(duì)于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。
P溝道：Ug<Us時(shí)導(dǎo)通。（簡(jiǎn)單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止。
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通條件受到柵極電壓和漏極源極電壓的影響。當(dāng)柵極與源極之間的電壓為負(fù)時(shí)，p溝道場(chǎng)效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)柵極與源極間電壓為正時(shí)，p溝道場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。
在導(dǎo)通狀態(tài)下，漏極電流可以由下式計(jì)算：
ID = (μnCox/2)(W/L)[(VGS - VT)VDS - VDS2/2]
其中，μn是溝道中空穴遷移率，Cox是氧化層電容，W/L是輸運(yùn)通道的寬和長(zhǎng)，VGS是柵極與源極的電壓差，VT是漏極門限電壓，VDS是漏極與源極之間的電壓。
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