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nmos管防反接需不需要割地
2021-03-24
nmos管防反接需不需要割地用MOS管作電路的防反接保護(hù)，優(yōu)點(diǎn)是MOS管的飽和壓降很小，可以減小對(duì)電源電壓的損耗，適用于一些低壓電路的保護(hù)，
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直流電源輸入防反接保護(hù)電路匯總
2021-03-24
直流電源輸入防反接保護(hù)電路匯總我們?cè)谠O(shè)計(jì)一些終端設(shè)備時(shí)，比如一些電池供電的設(shè)備，工控類的一些現(xiàn)場(chǎng)終端設(shè)備等，這些設(shè)備在設(shè)計(jì)時(shí)都會(huì)有
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NMOS低端開(kāi)關(guān)電路知識(shí)詳解
2021-03-23
NMOS低端開(kāi)關(guān)電路知識(shí)詳解在數(shù)字電路中使用三極管就可以做開(kāi)關(guān)，但是一般是用于控制小信號(hào)。對(duì)于大電流，三極管發(fā)熱會(huì)比較嚴(yán)重。mos管因?yàn)?
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一個(gè)IIC的5V與3.3V電平轉(zhuǎn)換的經(jīng)典電路圖解
2021-03-23
一個(gè)IIC的5V與3 3V電平轉(zhuǎn)換的經(jīng)典電路圖解在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài)：1沒(méi)有器件下拉總線線路。低電壓部分的總線線路通過(guò)上
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介紹一種低成本電平轉(zhuǎn)換電路
2021-03-23
介紹一種低成本電平轉(zhuǎn)換電路如上圖所示是常用的分立器件搭的電平轉(zhuǎn)換電路，具體工作過(guò)程如下：1、當(dāng)Net1輸出高電平時(shí)，MOS管Q1的Vgs=0，MOS
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開(kāi)關(guān)電源MOS開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程圖解
2021-03-23
開(kāi)關(guān)電源MOS開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程圖解電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開(kāi)
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MOS管功率損耗要如何測(cè)
2021-03-23
MOS管功率損耗要如何測(cè)MOSFET IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上
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如何給三極管基極,MOS管接?xùn)艠O接下拉電阻
2021-03-23
如何給三極管基極,MOS管接?xùn)艠O接下拉電阻設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)繼電器（或者電磁閥、電機(jī)）的電路，不算難吧？但是設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定的電路有沒(méi)有信心？比
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MOS管的分類與特點(diǎn)介紹
2021-03-23
MOS管的分類與特點(diǎn)介紹功率MOSFET可分成兩類：P溝道及N溝道：中間箭頭向里的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個(gè)極：漏極（D）。源極（S
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MOS管的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)詳解
2021-03-22
MOS管的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)詳解MOS管的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路1、直接驅(qū)動(dòng)電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm，R2是為關(guān)斷時(shí)提供放
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MOS管GS之間并聯(lián)的電阻的真正作用介紹
2021-03-22
MOS管GS之間并聯(lián)的電阻的真正作用介紹在mos管的驅(qū)動(dòng)電路里,某些場(chǎng)合下,會(huì)看到這個(gè)電阻,在某些場(chǎng)合中,又沒(méi)有這個(gè)電阻 這個(gè)電阻的值比較常見(jiàn)
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MOS管在GS兩端產(chǎn)生的振蕩波形如何消除
2021-03-22
MOS管在GS兩端產(chǎn)生的振蕩波形如何消除我們很多時(shí)候都在波形，看輸入波形，MOS開(kāi)關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波