用MOS管作電路的防反接保護(hù),優(yōu)點(diǎn)是MOS管的飽和壓降很小,可以減小對(duì)電源電壓的損耗,適用于一些低壓電路的保護(hù),但MOS管的柵極輸入阻抗極高(可達(dá)數(shù)十MΩ級(jí)),若柵極處理不好,容易受各種干擾,導(dǎo)致MOS管關(guān)閉,使負(fù)載無法工作。
上圖是提問者給的NMOS管防反接保護(hù)電路,這個(gè)電路中的NMOS管的柵極直接接電源正極,雖然電路簡(jiǎn)單,但可靠性不高,若管子的柵極在PCB板上的布線不合理,MOS管容易受干擾,從而影響負(fù)載的正常工作。另外,NMOS管在PCB板上布線時(shí),該管應(yīng)接在被保護(hù)負(fù)載的地線上,不宜接在PCB板的總地線上,否則也會(huì)影響到NMOS管的正常工作。
由于MOS管的柵極輸入阻抗極高,為了提高抗干擾能力,采用NMOS管作為防反接保護(hù)時(shí),最好像上圖所示電路那樣,在管子的柵極接兩個(gè)電阻來降低其輸入阻抗。R1一般選用幾KΩ電阻,R2選用大于100KΩ的電阻,這樣即可提高M(jìn)OS管的抗干擾能力。
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