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  • MOS場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書如何看
    • 發(fā)布時間:2024-09-19 20:45:23
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    MOS場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書如何看
    描述:MOSFET的最大允許電壓。參數(shù):額定電壓 - VR (Voltage Rating)
    描述:MOSFET在正常工作條件下能夠承受的最大電流。參數(shù):額定電流 - IR (Current Rating)
    描述:MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下,源極和漏極之間的電阻值。導(dǎo)通電阻的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。參數(shù):導(dǎo)通電阻 - RON (On-Resistance)
    描述:MOSFET的開關(guān)轉(zhuǎn)換時間,包括開啟時間和關(guān)閉時間。開關(guān)速度對于高頻應(yīng)用至關(guān)重要。參數(shù):開關(guān)速度 - TON, TOFF (Switching Time)
    描述:MOSFET開始導(dǎo)通的最低電壓。閾值電壓越低,器件的開關(guān)速度越快。參數(shù):閾值電壓 - VTH (Threshold Voltage)
    描述:MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
    描述:MOSFET內(nèi)部芯片的最高工作溫度。結(jié)溫過高可能導(dǎo)致器件性能下降或損壞。參數(shù):結(jié)溫 - TJ (Junction Temperature)
    描述:MOSFET柵極與源極之間的電容。輸入電容的大小影響開關(guān)速度和驅(qū)動能力。參數(shù):輸入電容 - Ciss, Cgs (Input Capacitance)
    描述:MOSFET漏極與源極之間的電容。輸出電容的大小影響開關(guān)速度和驅(qū)動能力。參數(shù):輸出電容 - Coss, Cds (Output Capacitance)
    描述:MOSFET柵極與漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關(guān)速度和信號質(zhì)量。參數(shù):反向傳輸電容 - Crss, Cgd (Reverse Transfer Capacitance)
    漏源電壓(VDS):MOSFET的漏極和源極之間的電壓。漏源電壓是MOSFET能夠承受的最大電壓,超過此電壓可能導(dǎo)致器件損壞。
    漏源電流(IDS):流過MOSFET漏極和源極之間的電流。漏源電流的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。
    柵源電壓(VGS):加在MOSFET柵極和源極之間的電壓。柵源電壓控制MOSFET的開關(guān)狀態(tài),從而影響漏源電流的通斷。
    驅(qū)動電壓(VDRV):驅(qū)動電路提供的電壓,用于控制MOSFET的柵源電壓。驅(qū)動電壓的大小和穩(wěn)定性影響MOSFET的開關(guān)性能和可靠性。
    動態(tài)電阻(Ron):在導(dǎo)通狀態(tài)下,MOSFET的漏源電阻隨漏源電流的變化而變化。動態(tài)電阻越小,表示MOSFET的導(dǎo)電性能越好。
    反向傳輸電容(Cgd):MOSFET的柵極和漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關(guān)速度和信號質(zhì)量。
    導(dǎo)通電阻(Ron):是指當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時,從源極到漏極的導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻越小,表示MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下有更好的導(dǎo)電能力,能夠傳輸更大的電流,也能提供更低的功耗。
    泄漏電流(Igss):是指MOSFET在關(guān)閉狀態(tài)下的漏電流。泄漏電流應(yīng)盡可能小,以確保在關(guān)閉狀態(tài)下無功率損失。
    閾值電壓(Vth):是指MOSFET開始導(dǎo)通的電壓。
    最大漏源電流(ID):是指MOSFET正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
    最大脈沖漏源電流(IDM):此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
    最大柵源電壓(VGS):是指MOSFET正常工作時,加在柵極和源極之間的最大電壓。
    漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):是指柵源電壓VGS為0時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。
    開啟電壓(VGS(th)):當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時,漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中,常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低。
    耗散功率(PD):是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
    最大工作結(jié)溫(Tj):通常為150℃或175℃,器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度,并留有一定裕量。
    MOS場效應(yīng)管參數(shù)
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