分享一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開(kāi)關(guān)控制電路,關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見(jiàn)下文說(shuō)明。
三級(jí)管和場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及使用
開(kāi)關(guān)控制電路,MCU控制三極管,然后再控制MOS管,如下圖所示:
電路解析:
當(dāng)I/O為高電平時(shí),三極管導(dǎo)通,MOS管柵極被拉低,1.8V電源導(dǎo)通;
當(dāng)I/O為低電平時(shí),三極管不導(dǎo)通,MOS管不導(dǎo)通,1.8V電源不導(dǎo)通。
為什么要這樣做呢?
這個(gè)和三極管和MOS的特性有很大關(guān)系:三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化;MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。
三極管的基極驅(qū)動(dòng)電壓只要高于Ube的死區(qū)電壓即可控制三極管導(dǎo)通,硅材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.6V,鍺材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.3V,所以控制三極管的電壓對(duì)于硅材料的三極管來(lái)說(shuō)只要高于0.6V左右即可,而對(duì)于鍺材料的三極管來(lái)說(shuō)只要高于0.3V左右即可。所以MCU先連接控制三極管。
而MOS管就不一樣了,MOS管是電壓型驅(qū)動(dòng),其驅(qū)動(dòng)電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通,不同型號(hào)的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的,一般為3V~5V左右,最小的也要2.5V,但這也只是剛剛導(dǎo)通,其電流很小,還處于放大區(qū)的起始階段,一般MOS管達(dá)到飽和時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓需6V~10V左右。
一般MCU IO輸出電壓為3.3V,很可能無(wú)法打開(kāi)MOS管,所以MCU不直接連接控制MOS管。
而且三極管帶負(fù)載的能力沒(méi)有MOS管強(qiáng),所以MCU控制三極管,然后再控制MOS管來(lái)控制負(fù)載設(shè)備。
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