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  • 怎么精準(zhǔn)區(qū)分MOSFET和BJT
    • 發(fā)布時間:2024-08-13 18:13:00
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    怎么精準(zhǔn)區(qū)分MOSFET和BJT
    MOSFET與BJT區(qū)別
    MOSFET是電壓驅(qū)勱,雙極型晶體管(BJT)是電流驅(qū)勱。
    (1)只容許從信號源叏少量電流的情況下,選用MOS管;在信號電壓較低,有容許從信號源取較多電流的條件下,選用三極管。
    (2)MOS管是單極性器件(靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電),三極管是雙極性器件(既有多數(shù)載流子,也要少數(shù)載流子導(dǎo)電)。
    (3)有些MOS管的源極和漏極可以互換運用,柵極也可正可負(fù),靈活性比三極管好。
    (4)MOS管應(yīng)用普遍,可以在很小電流和很低電壓下工作。
    (5)MOS管輸入阻抗大,低噪聲,MOS管較貴,三極管的損耗大。
    (6)MOS管常用來作為電源開關(guān),以及大電流開關(guān)電路、高頻高速電路中,三極管常用來數(shù)字電路開關(guān)控制。
    MOSFET BJT
    MOSFET與IGBT區(qū)別
    IGBT芯片=MOSFET+BJT。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效管)組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體,兼?zhèn)淞穗p極型晶體管的高耐壓和MOSFET輸入抗阻高的特性,因此IGBT適用于高電壓、大電流場合。
    MOSFET與IGBT區(qū)別:電壓需求
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