短溝道效應（short-channel effects），當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，晶體管出現的一些效應。這些效應主要包括閾值電壓隨著溝道長度降低而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應。短溝道效應會顯著影響MOSFET的性能和可靠性。
解釋一：短溝道效應主要是指閾值電壓與溝道相關到非常嚴重的程度。
解釋二：溝道長度減小到一定程度后出現的一系列二級物理效應統(tǒng)稱為短溝道效應。如漏致勢壘降低（DIBL），隨著漏源電壓的增大，漏襯反偏PN結空間電荷區(qū)展寬，則溝道的有效長度減小，此在短溝道中尤為明顯， 嚴重會導致源漏穿通器件失效。
MOS晶體管的漏電途徑如圖所示。因開啟電壓（Threshold Voltage，簡稱Vt）下降所造成的漏電流，及因電擊穿（punch through）效應導致的漏電。其中前者沿著MOS的通道（紅色箭頭）；后者沿著通道下方，源/漏因反向偏壓所產生的耗盡層（depletion region）不斷向外擴展（圖中虛線為耗盡層邊界）。
短溝道效應：當溝道長度足夠短時，閾值電壓與溝道長度出現了強關聯，溝道長度減少，閾值電壓減少。
如圖所示：
短溝道效應的產生原理：
電子散射：當溝道長度縮短到與電子平均自由程相當或更短時，電子在溝道中會發(fā)生散射現象。這些散射事件導致電子能量和速度增加，從而增加了漏電流。
隧穿效應：在短溝道MOSFET中，由于溝道長度很短，電子可以通過隧穿效應穿越壘壁，從源極隧穿到漏極。這會導致漏電流的進一步增加。
強限制效應：短溝道MOSFET中的強限制效應是指在溝道長度縮小的情況下，由于電場的非均勻分布，使得溝道的控制區(qū)域變窄。這需要更高的門電場來形成正常的溝道，導致閾值電壓的偏移。
數量擺動：在短溝道MOSFET中，電子在溝道中的數量擺動現象也會顯著增加。數量擺動是指電子在溝道中的數目有所波動，導致子閾值電流的不穩(wěn)定性。
短溝道效應的特點
（1）影響閾值電壓的短溝、窄溝效應
（2）遷移率場相關效應及載流子速度飽和效應
（3）影響器件壽命的熱載流子效應
（4）亞閾特性退化，器件夾不斷
短溝道效應顯著特點：
漏電流增加：短溝道效應導致了漏電流的明顯增加。這是由于電子在短溝道中的散射和速度增加引起的。
閾值電壓偏移：短溝道效應會導致閾值電壓的偏移。隨著溝道長度縮短，需要更高的門電場來控制和形成正常的溝道。
子閾值擺動：短溝道效應引起了子閾值電流的擺動。由于溝道長度減小，散射和隧穿效應導致了子閾值電流的不穩(wěn)定性。
限制頻率提高：由于短溝道MOSFET的特殊結構和效應，它們具有更高的響應速度和更高的限制頻率。
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