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  • 場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路,電路設(shè)計(jì)圖文介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-05-07 18:07:17
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    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路,電路設(shè)計(jì)圖文介紹
    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路
    下圖所示的電路中,增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡(jiǎn)單的燈“ON”和“OFF”(也可以是 LED)。
    柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_(kāi)器件,因此燈負(fù)載要么“打開(kāi)”,(V GS = +ve),要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平,(VGS = 0V)。
    如果燈的電阻負(fù)載要由電感負(fù)載(如線圈、螺線管或繼電器)代替,則需要與負(fù)載并聯(lián)一個(gè)“續(xù)流二極管”,以保護(hù)mos管免受任何自生反電動(dòng)勢(shì)的影響。
    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路
    這是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的電路,用于切換電阻負(fù)載,例如燈或 LED。但是,當(dāng)使用功率mos管切換感性或容性負(fù)載時(shí),需要某種形式的保護(hù)來(lái)防止mos管器件受損。驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載與驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的效果相反。
    例如,沒(méi)有電荷的電容是短路的,導(dǎo)致高“涌入”電流,當(dāng)我們從感性負(fù)載上移除電壓時(shí),隨著磁場(chǎng)崩潰,我們會(huì)產(chǎn)生很大的反向電壓,從而導(dǎo)致感應(yīng)繞組中的感應(yīng)反電動(dòng)勢(shì)。
    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路二
    一個(gè)簡(jiǎn)單的電路,其中 N 溝道增強(qiáng)模式mos管將打開(kāi)或關(guān)閉燈。為了將mos管用作開(kāi)關(guān),它必須工作在截止和線性(或三極管)區(qū)域。
    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路
    假設(shè)設(shè)備最初是關(guān)閉的。柵極和源極之間的電壓,即 V GS適當(dāng)?shù)卦O(shè)為正值(從技術(shù)上講,V GS > V TH),MOSFET 進(jìn)入線性區(qū)域并且開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。這使燈打開(kāi)。
    如果輸入柵極電壓為 0V(或技術(shù)上 < V TH),則mos管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)并關(guān)閉。這反過(guò)來(lái)會(huì)使燈關(guān)閉。
    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路三
    場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路
    兩種MOS管的典型應(yīng)用:
    第一種NMOS管為高電平導(dǎo)通,低電平截?cái)啵珼rain端接后面電路的接地端;
    第二種為PMOS管典型開(kāi)關(guān)電路,為高電平斷開(kāi),低電平導(dǎo)通,Drain端接后面電路的VCC端。
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