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  • mos管飽和區(qū)條件,場效應(yīng)管飽和區(qū)圖解
    • 發(fā)布時間:2024-04-11 22:42:15
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    mos管飽和區(qū)條件,場效應(yīng)管飽和區(qū)圖解
    場效應(yīng)管飽和區(qū)
    場效應(yīng)管飽和區(qū)是指場效應(yīng)管輸出特性曲線族中漏源電壓U(DS)較大,且漏極電流I(D)基本不隨U(DS)增加而變化的部分。這段特性曲線近似水平,故又叫“恒流區(qū)”。它表示場效應(yīng)管預(yù)夾斷后I(D)和U(DS)之間的關(guān)系。
    mos管飽和區(qū)條件,場效應(yīng)管飽和區(qū)
    mos管飽和區(qū)條件
    MOS管飽和區(qū)工作條件有以下幾點(diǎn),
    閾值電壓:MOS管進(jìn)入飽和區(qū)的條件是柵極電壓高于一定的閾值電壓,這個閾值電壓是MOS管的一個重要參數(shù),決定了MOS管的工作狀態(tài)。
    漏極電壓:在飽和區(qū)工作時,漏極電壓較低,基本保持在一個較小的范圍內(nèi)。這是因?yàn)樵陲柡蛥^(qū),MOS管的導(dǎo)通電阻較低,使得漏極電壓較小。
    飽和電壓:MOS管的飽和區(qū)與導(dǎo)通區(qū)之間存在一個臨界電壓,稱為飽和電壓。
    恒流區(qū):當(dāng)Vgs一定,當(dāng)Vds大于Vgs-Vth時(Vth為開通的閾值電壓),漏極電流Id恒定不變,不隨Vds增大而增大,俗稱為飽和。
    場效應(yīng)管飽和區(qū)的電壓條件:在飽和區(qū),場效應(yīng)管的柵極-源極電壓(Vgs)要小于或等于臨界電壓(Vth),且柵極-漏極電壓(Vds)要大于或等于零。這樣的電壓條件可以使得場效應(yīng)管的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定,從而實(shí)現(xiàn)飽和區(qū)的工作。
    場效應(yīng)管飽和區(qū)的電流條件:在飽和區(qū),場效應(yīng)管的漏極電流(Ids)要大于或等于飽和電流(Idsat),同時柵極-源極電流(Igs)要小于或等于零。這樣的電流條件可以保證場效應(yīng)管在飽和區(qū)工作時的穩(wěn)定性和可靠性。
    mos管飽和條件及狀態(tài)
    MOSFET飽和條件
    當(dāng)確定D極與S極現(xiàn)在處與一個導(dǎo)通狀態(tài)后,
    1.Vgs>=Vt;
    2.Vds>=Vgs-Vt;
    電路在滿足這三個條件的時候就達(dá)到了MOSFET的飽和狀態(tài),如果當(dāng)前電路只滿足了第一個條件而沒有滿足第二個條件這是MOSFET就處于一個未飽和的狀態(tài)。
    MOSFET未飽和狀態(tài)
    mos管飽和區(qū)條件,場效應(yīng)管飽和區(qū)
    MOSFET飽和狀態(tài)
    mos管飽和區(qū)條件,場效應(yīng)管飽和區(qū)
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