大家可以常見的小功率電源幾乎都是反激電路，LED電源有些是單端/交錯(cuò)正激，它們都是單端形式，磁芯只能利用第一象現(xiàn)。而推挽和橋式電路，利用了磁芯的一三象限，所以同磁芯、同頻率來比較功率會(huì)大4倍。所以大功率的電源基本都是橋式或推挽拓?fù)?。在低壓升壓逆變電路中，幾乎都是推挽拓?fù)?，因?yàn)樗碾娐纷詈唵危议_關(guān)管是共地且只需要2個(gè)。雖然現(xiàn)在很的PWM芯片都很完善，但是，自激電路非常簡單，業(yè)余條件下做了學(xué)習(xí)基本功，還是有意義的。

推挽自激電路，又名羅耶振蕩器，是1955年美國人羅耶發(fā)明并以他命名的一種電路。很明顯，1955年是沒有MOS管的，所以當(dāng)時(shí)的電路是基于三極管的，但是三極管的缺點(diǎn)是非常多的，比如功率大的放大倍數(shù)小難驅(qū)動(dòng)，正向壓降大，不能高頻化，還容易高頻自激而損壞?，F(xiàn)在的很多場合都是用MOS管，我們能不能用MOS管來做自激呢？答案是肯定的。

MOS管推挽自激電路

如上圖。本電路的核心是變壓器T1和開關(guān)管Q1 Q2及一系列阻容。工作原理：當(dāng)開關(guān)S1閉合的時(shí)候，繼電器的線圈得電，+12V電源經(jīng)過電感L1給變壓器N1 N2的中抽頭供電，而且，這個(gè)電流會(huì)通過C1及R2流向N3、N4的中抽頭，繼而通過N3 N4流向R3 R4之后流向Q1 Q2的柵極G極。

此時(shí)呢，如果我們用刻舟求劍的眼光去看，覺得Q1 Q2會(huì)一起導(dǎo)通而燒毀，但事實(shí)上是不會(huì)的。因?yàn)镹1與N4是同名端，N2和N3是同名端，而這世界上沒有絕對(duì)相同的兩片樹葉，它們電感量、內(nèi)阻等絕對(duì)是會(huì)不一樣的，還有MOS管的導(dǎo)通電壓也不會(huì)是絕對(duì)樣的。這些累積起來的參數(shù)，只要有絲絲的差別，哪怕是偶然的差別，假設(shè)此時(shí)是Q1會(huì)領(lǐng)先一點(diǎn)輕微導(dǎo)通，此時(shí)N1上會(huì)有電流，繼而馬上互感到N3 N4上。而N4是同名端，它會(huì)馬上疊加電流/電壓到Q1的G-S極，產(chǎn)生極快的放大，并讓Q1徹底導(dǎo)通。

而N3是非同名端，它也會(huì)由弱到強(qiáng)地產(chǎn)生相反的電動(dòng)勢，讓Q2的G-S極產(chǎn)生負(fù)壓，而非常果斷的關(guān)閉。當(dāng)Q1導(dǎo)通之后，變壓器N1繞組達(dá)到磁飽和后，電流增加，而磁通量不會(huì)再增加，N4上就不能互感到電壓/電流后，N1上會(huì)迅速產(chǎn)生強(qiáng)烈的反相電動(dòng)勢，此時(shí)，N4上的電動(dòng)勢也跟著反向了，所以Q1會(huì)迅速截止。而此時(shí)對(duì)于N3來說是同名端了（因?yàn)镹1上的電流反向了）此時(shí)N3通過R3把電流/電壓提供給了Q2，Q2也會(huì)馬上導(dǎo)通，當(dāng)變壓器N2繞組再次達(dá)到磁飽和后，N2也會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢，讓N3也產(chǎn)生反向電動(dòng)勢以上Q2截止，同時(shí)讓N4互感到電流讓Q1導(dǎo)通……這樣周而復(fù)始，就形成了振蕩。電感L1是退耦及限制峰值電流的，沒有它此電路的空載電流會(huì)非常大，開關(guān)管極熱且易壞。

建議實(shí)例：變壓器用EE磁芯，不可以有縫隙。以EE40為例，N1 N2用1.5mm的漆包線繞6匝之后抽頭再繞6匝。N3 N4用0.5mm 的漆包線繞5匝后抽頭再繞5匝。N5用0.5mm左右的漆包線繞55-60匝。其他阻容可以直接按圖中標(biāo)注的參數(shù)。

這里要專門說一下的是為什么要用倍壓整流，因?yàn)檫@樣可以減小變壓器的匝比，且交流電壓很低，不易擊穿漆包線，減小危險(xiǎn)。實(shí)踐中，如果不起振，可能是繞N1 N2與N3 N4時(shí)把方向搞錯(cuò)了，可以調(diào)換N1 N2的頭尾而不動(dòng)抽頭就可以了（當(dāng)然也可以調(diào)換N3 N4的頭尾）。一對(duì)TO-220的管不易超過15A的電流，TO-247的管不宜超過30A。

另外，頻率的計(jì)算公式F=U/(4*B*S*W) 。式中U=12V，B是磁芯的飽和磁感強(qiáng)度，一般是0.6T，S是磁芯的中柱截面積，一定要換算成平方米。W是N1或N2的匝數(shù)。