上篇文章分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接電路，本文則對(duì) VCC 端串入 PMOS 管的防反接電路進(jìn)行分析。相比于以往的防反接電路，MOS 管類(lèi)型的防反接保護(hù)電路，具有低功耗和壓降小的優(yōu)點(diǎn)。
原理圖
原理分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接電路”，只不過(guò)需要注意 PMOS 管 VGS<0 時(shí)，MOS 管開(kāi)啟。
器件分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接電路”，這里 R2 取 1K。
需要注意：
（1）由于 VBAT 端要提供負(fù)載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMOS 管要更小。一般來(lái)說(shuō)，導(dǎo)通內(nèi)阻越小，其 Gate 端的結(jié)電容就越大，所以 PMOS 管的開(kāi)關(guān)速度就會(huì)越慢，因此，要綜合考慮。
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