您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國(guó)服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門(mén)關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場(chǎng)效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-06-21 21:09:51
    • 來(lái)源:
    • 閱讀次數(shù):
    SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析
    SiC MOSFET短路保護(hù)
    1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積,短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。
    2、IGBT短路后能夠退飽和(desaturation)進(jìn)入線性區(qū),電流不再增加,能夠自我限流。
    3、短路后SiC MOSFET 由線性區(qū)(linear region)進(jìn)入飽和區(qū)(saturation region),拐點(diǎn)電壓非常高,因此Id電流增加的同時(shí),Vds隨著上升,進(jìn)一步擴(kuò)大短路損耗。
    4、IGBT退飽和保護(hù)機(jī)理,如下圖,正常工作Cblk 電壓會(huì)被嵌位到Vce+Vd,當(dāng)IGBT進(jìn)入退飽和拐點(diǎn)后,Vce迅速上升,Dhv由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?,電流源迅速?duì)Cblk充電,抬高電壓DESATFault 置位。
    SiC MOSFET 短路
    IGBT 退飽和電路
    5、由于SiC MOSFET的“退飽和拐點(diǎn)”非常高,Vds的響應(yīng)速度非常慢,一般不采用Vce電壓進(jìn)行“退飽和”操作,通過(guò)采樣電阻電流采樣,精度高。但是損耗大,在小電流應(yīng)用中使用。
    SiC MOSFET 短路
    6、對(duì)于大電流應(yīng)用,傾向于帶有SENSE PIN的MOSFET進(jìn)行電流采樣,Rs上電流和主管上的電流存在一定的比例關(guān)系,從而減小采樣電阻上電壓。
    SiC MOSFET 短路
    〈烜芯微/XXW〉專(zhuān)業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷(xiāo)省20%,上萬(wàn)家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號(hào)碼或加QQ/微信,由我們的銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號(hào)碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280
    相關(guān)閱讀