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MOSFET應(yīng)用,RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-06-12 17:52:56
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MOSFET應(yīng)用,RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例介紹
RC熱阻模型的建立
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣,熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth;同理,電子領(lǐng)域的電流就等同于熱領(lǐng)域中的元件功率;電壓值也可以等效為溫度值。
具體的等效對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表:
MOSFET RC 熱阻模型
根據(jù)這樣的等效關(guān)系,我們就可以將元件的熱阻抗Zth以電子的R和C來(lái)呈現(xiàn)出來(lái),并通過(guò)電路仿真的方法求得元件的溫升值。
MOSFET RC 熱阻模型
這種模型的等效也是各大MOSFET供應(yīng)商認(rèn)可的較快速的評(píng)估方法。
基于LTspice的熱仿真實(shí)例
下面的實(shí)例是一個(gè)MOSFET的高邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,其中右側(cè)的C1,C2,C3,C4,R4,R5,R6和R7組成的是元件的熱阻模型,其中的電容值和電阻值也都是根據(jù)供應(yīng)商給出的模型進(jìn)行設(shè)定的。
將電流源激勵(lì)B1的值設(shè)為作用在元件上的功率值,Vmb1為元件焊接襯底的初始值,當(dāng)運(yùn)行LTspice后,電流源B1后的電壓值即為元件結(jié)合點(diǎn)溫度Tj。
MOSFET RC 熱阻模型
MOSFET RC 熱阻模型
綜上所示,MOSFET的RC熱阻模型為我們?cè)脑O(shè)計(jì)選型提供較為簡(jiǎn)單快速的評(píng)估方法,將設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)降低。
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