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  • NMOS分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路圖文介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-24 16:21:41
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    NMOS分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路圖文介紹
    負(fù)載開(kāi)關(guān)是用于開(kāi)啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開(kāi)關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用,包括但不限于:
    -配電
    -上電時(shí)序控制和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換
    -減小待機(jī)模式下的漏電流
    -控制上電時(shí)間,減少浪涌電流
    -控制下電時(shí)間,避免下電太慢導(dǎo)致其他問(wèn)題
    前面3條是負(fù)載開(kāi)關(guān)的核心,后面兩條不是所有的負(fù)載開(kāi)關(guān)都具有的。
    典型的負(fù)載開(kāi)關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用如下。包括一個(gè)電源和多個(gè)需要不同負(fù)載電流的負(fù)載。系統(tǒng)必須通過(guò)多個(gè)電源開(kāi)關(guān)獨(dú)立控制這些負(fù)載,包括打開(kāi)時(shí)間、打開(kāi)的速度等。該電源開(kāi)關(guān)可以使用離散的MOSFET電路或集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
    NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān)
    下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)電路,該電路對(duì)輸入電壓VIN的最大值有限制,VIN需要小于Vgate-VGS 。
    NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān)
    為了解決VIN限制問(wèn)題,可以在上述電路基礎(chǔ)上,增加一個(gè)電荷泵電路,使用電荷泵,可以實(shí)現(xiàn)NMOS的高VGS,并且使驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通電阻降低。當(dāng)然與PMOS一樣,也會(huì)存在浪涌電流問(wèn)題。如果需要減少浪涌電流,也還需要增加其他一些分立器件。
    NMOS 負(fù)載開(kāi)關(guān)
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