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  • 模擬設計中堆疊MOSFET介紹
    • 發(fā)布時間:2023-03-18 16:35:54
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    模擬設計中堆疊MOSFET介紹
    在28nm以下,由于最大器件長度限制,模擬設計人員經(jīng)常要對多個短長度的MOSFET串聯(lián)來創(chuàng)建長溝道的器件。這些串聯(lián)連接的器件通常被稱為堆疊MOSFET或堆疊器件。
    例如,將三個1μm的MOSFET串聯(lián)堆疊,可創(chuàng)建一個溝道長度為3μm的有效器件(圖1)。
    堆疊MOSFET 設計
    圖1:將三個MOSFET串聯(lián)堆疊,可提供3μm的溝道長度。
    堆疊MOSFET在現(xiàn)代模擬設計中非常常見,但并不是沒有問題。其主要問題是電容增加以及面積更大。電容增加很大程度上是由于器件周圍的互連增加。
    總柵極面積和總柵極電容與非堆疊等效電路相似,但在互連線上有額外的寄生電容。與單個長溝道器件相比,堆疊器件的物理分離增加了總設計面積。
    當在電路中使用堆疊MOSFET時,版圖質(zhì)量變得比平常更重要。不良的版圖設計會顯著增加寄生電容和設計面積,并可能使電路無法滿足期望的性能特性。
    版圖設計工程師必須非常小心地設計這些器件的版圖。大多數(shù)從事于這些較小工藝節(jié)點的設計人員都經(jīng)歷過版圖前仿真和版圖后仿真非常不同的情況。通常,這歸因于堆疊器件上所存在的互連寄生效應。
    下面來看看幾種實現(xiàn)堆疊MOSFET高質(zhì)量版圖的方法。圖2中的子電路顯示了將四個NMOS MOSFET堆疊在一起而創(chuàng)建一個長溝道器件。
    堆疊MOSFET 設計
    圖2:將四個MOSFET堆疊,可創(chuàng)建一個長溝道電路。
    在這個電路中可以看到,所有的柵極引腳都是相互連接的(所有四個整體連接也是如此),也可以看到,所有的MOSFET都是通過將一個器件的漏極與下一個器件的源極串聯(lián)起來而連接在一起。
    在這種情況下,由于每個器件都是簡單的單指MOSFET,因此可以使用簡單的擴散分配版圖模式來設計這種結構的版圖。
    堆疊MOSFET 設計
    圖3:將左邊的簡單堆疊情況與右邊的等效長溝道器件進行比較。
    簡單堆疊情況的版圖如圖3左邊所示,可以看到它幾乎沒有額外的互連,因為等效的長溝道器件(右邊)也需要一個多晶硅觸點。在這種情況下,面積不利顯著,但這是不可避免的,并且由多晶硅最小間距規(guī)則所決定。
    這種方法的另一個問題是,非常長的有效器件可能導致非常長的擴散分配鏈路。然而,可以將長鏈折疊成多行,如圖4所示。但是,其代價是這增加了額外的互連,并進一步增加了堆疊器件的電容。
    堆疊MOSFET 設計
    圖4:可以將長鏈折疊成多行。
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